时间：2025/8/9 17:09:49
阅读：14
2SK2900-01 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，常用于高频开关应用、电源转换器、电机控制等场合。该器件具有低导通电阻、高耐压、快速开关速度等优点，适用于高效率、小型化电源系统。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：15A
漏源电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：0.38Ω @ VGS=10V
功率耗散（PD）：75W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220SIS
2SK2900-01具备低导通电阻（RDS(on)）特性，有助于减少功率损耗，提高系统效率。
其高耐压能力（600V）使其适用于高电压工作环境，如开关电源、逆变器和马达控制等应用。
该MOSFET采用TO-220SIS封装，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
此外，其快速开关特性可有效减少开关损耗，提高响应速度，适用于高频开关电路。
该器件还具备较强的抗冲击能力，能承受较高的雪崩能量，提高系统可靠性。
栅极驱动电压范围宽（±30V），兼容多种驱动电路设计，便于集成和控制。
整体设计符合RoHS环保标准，适合环保要求较高的电子产品使用。
2SK2900-01广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动电源、电机驱动电路、逆变器、UPS系统以及工业自动化控制设备。
在家电领域，如电磁炉、变频空调中也常用于功率调节和开关控制。
此外，它还适用于太阳能逆变系统、电动车充电模块等新能源领域，满足高效率、高稳定性的需求。
由于其良好的热稳定性和耐久性，也可用于汽车电子系统中的功率管理模块。
2SK2900, 2SK2901, 2SK2545, 2SK1530
