型号：AP2191WG-7-89
　　类型：双P沟道MOSFET
　　封装：SOT-363 (SC-88)
　　通道数：2
　　漏源电压(VDSS)：-20V
　　栅源电压(VGS)：±8V
　　连续漏极电流(ID)：-1.7A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：-3.4A
　　导通电阻RDS(on)_max@VGS=-4.5V：55mΩ
　　导通电阻RDS(on)_max@VGS=-2.5V：75mΩ
　　导通电阻RDS(on)_max@VGS=-1.8V：100mΩ
　　阈值电压(Vth)：-0.8V ~ -1.4V
　　输入电容(Ciss)：220pF
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　反向二极管压降(VSD)：-0.9V
　　最大功耗(PD)：350mW

AP2191WG-7-89的核心特性之一是其低导通电阻与低栅极驱动电压的优化匹配，使其在低电压系统中表现出色。在VGS = -4.5V时，最大RDS(on)仅为55mΩ，而在更低的-2.5V驱动下仍能保持75mΩ以下的导通电阻，这使得它非常适合应用于3.3V或更低电源系统的负载开关和电源路径管理。这种低RDS(on)特性有效降低了导通损耗，提升了整体电源效率，尤其在电池供电设备中延长了续航时间。
　　该器件采用P沟道结构，在高边开关应用中无需复杂的自举电路即可实现完整的电压切换功能，简化了电源设计复杂度。同时，由于其具备较宽的工作温度范围（-55°C至+150°C），可在严苛环境条件下稳定运行，增强了系统的环境适应能力。此外，器件内部集成的体二极管能够处理瞬态反向电流，保护外部电路免受电压反接或感性负载反冲的影响。
　　SOT-363封装不仅体积小巧（仅2.0mm x 2.1mm），还具备良好的散热性能，适用于高密度PCB布局。该封装符合RoHS环保要求，支持无铅回流焊工艺，满足现代电子产品对绿色制造的需求。器件还具备出色的抗静电能力（HBM ESD rating ≥ 2kV），提高了生产过程中的可靠性和成品率。
　　AP2191WG-7-89的设计注重稳定性与一致性，参数分布集中，批次间差异小，有利于大规模量产中的质量控制。其快速的开关响应时间减少了过渡期间的能量损耗，避免了过热风险，特别适合需要频繁启停的动态负载管理场合。总体而言，这款双P-MOSFET以其高集成度、低功耗、小尺寸和高可靠性，成为现代便携式电子设备中理想的功率开关解决方案。

AP2191WG-7-89广泛应用于各种需要高效、小型化电源控制的电子设备中。典型应用包括便携式消费类电子产品中的电源开关和负载开关，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机、智能手表等可穿戴设备，用于控制不同模块的上电时序或断开闲置电路以节省功耗。
　　在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于电池充放电路径的隔离与控制，防止反向充电或过放电情况发生。其低导通电阻有助于减少能量损耗，提高系统整体效率。此外，它也常用于DC-DC转换器的同步整流或高边开关配置中，尤其是在输入电压较低（如1.8V、2.5V、3.3V）的场合下表现优异。
　　在接口电平转换电路中，AP2191WG-7-89可用于I2C、SPI等通信总线的双向电平移位器设计，利用其栅极由低压逻辑信号驱动、源极连接高压侧的结构，实现不同电压域之间的安全通信。这种应用常见于主控芯片与外设之间的电压匹配场景。
　　此外，该器件还可用于LED背光驱动、电机启停控制、继电器驱动缓冲级以及各类嵌入式控制系统中的功率切换模块。由于其通过AEC-Q101认证，也可应用于汽车电子中的非动力总成类低功率控制电路，如车内照明控制、传感器电源管理等，展现出良好的环境适应性和长期运行稳定性。

DMG2305UX-7
　　FDC6322P
　　SI2301-ADJ-R