时间：2025/5/15 16:17:41
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BSZ075N08NS5 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 Infineon 的产品系列。该器件设计用于高效率开关应用，具有低导通电阻和快速开关特性，适合于电源管理、电机驱动以及各种工业应用。
该型号采用了 SOT223-4 封装形式，能够承受较高的电流和电压，同时保持良好的散热性能。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：75A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：98nC
开关速度：快
封装形式：SOT223-4
BSZ075N08NS5 的主要特点是其超低的导通电阻 (Rds(on))，这使其在高电流应用中表现出较低的功率损耗和更高的效率。
此外，它还具备以下优势：
1. 快速开关能力，适合高频应用。
2. 极低的栅极电荷，有助于减少驱动器功耗。
3. 强大的电流承载能力，适用于大功率场景。
4. 良好的热稳定性，确保长时间可靠运行。
这些特性使 BSZ075N08NS5 成为 DC-DC 转换器、逆变器和负载开关等应用的理想选择。
该器件广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机控制和驱动电路。
3. 工业自动化设备中的功率转换。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
5. 各种负载切换和保护电路。
由于其出色的性能和可靠性，BSZ075N08NS5 在需要高效功率传输和低损耗的应用中表现尤为突出。
BSC075N08NS5
BSP075N08NS5
