时间：2025/5/22 18:36:04
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AP160N04P是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种电源管理应用。其封装形式通常为TO-220或TO-252，适合需要高电流驱动能力的场景。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：160A
导通电阻：1.3mΩ
总功耗：170W
结温范围：-55℃至175℃
AP160N04P具备低导通电阻，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
它具有较快的开关速度，可以适应高频开关电路的需求。
其高电流承载能力使其非常适合用于大功率应用环境，例如电机驱动、负载切换和DC-DC转换器等。
此外，该器件还具有良好的热稳定性和抗干扰能力，确保在恶劣环境下也能正常工作。
AP160N04P广泛应用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品中。
典型应用场景包括但不限于：
- 电动汽车中的电机控制器
- 工业自动化设备中的负载切换模块
- 高效DC-DC转换器设计
- 太阳能逆变器中的功率调节单元
- 各种开关电源和不间断电源(UPS)系统
IRFZ44N
STP160N04
FDP160N04L
