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SIR570DP-T1-RE3 发布时间 时间:2025/5/10 15:11:16 查看 阅读:13

SIR570DP-T1-RE3 是一款基于硅技术的高可靠性整流二极管,采用 TO-263 封装形式。该器件适用于高频和大电流应用场合,具有低正向电压降、快速恢复特性和高浪涌能力等特点,广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动以及各类工业电子设备中。
  此型号属于 Vishay 公司生产的整流二极管系列,专为高效能功率转换设计,可满足严格的电气性能要求。

参数

最大反向电压:60V
  最大平均整流电流:5A
  峰值正向浪涌电流:240A
  正向电压降(@5A):0.55V
  反向恢复时间:35ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263
  湿度敏感等级:1

特性

SIR570DP-T1-RE3 的主要特性包括:
  1. 快速恢复特性使其非常适合高频开关应用。
  2. 极低的正向压降有助于减少功率损耗,提高整体效率。
  3. 高浪涌电流能力确保其在瞬态条件下仍能保持稳定运行。
  4. 工作温度范围广,适应恶劣环境下的应用需求。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅设计。
  6. 可靠性高,适合长时间连续工作的场景。

应用

该二极管常用于以下领域:
  1. 开关电源中的整流电路。
  2. 逆变器和电机驱动中的续流保护。
  3. 太阳能光伏系统中的旁路保护。
  4. 各类工业自动化设备的功率转换模块。
  5. 汽车电子中的 DC/DC 转换电路。
  6. 通信设备中的高频功率管理。

替代型号

SIR570DP-T1-E3, SIR570DP-E3

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SIR570DP-T1-RE3参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥19.64000剪切带(CT)3,000 : ¥8.98702卷带(TR)
  • 系列TrenchFET? Gen V
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)150 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)19A(Ta),77.4A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)7.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)7.9 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)71 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3740 pF @ 75 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.25W(Ta),104W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerPAK? SO-8
  • 封装/外壳PowerPAK? SO-8