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AONS66407 发布时间 时间:2025/12/23 16:50:09 查看 阅读:13

AONS66407是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于消费电子、计算机及外设、通信设备以及工业应用中的电源管理电路。AONS66407的封装形式为SOT-23-3,这种小型化封装使其非常适合空间受限的设计。
  AONS66407主要用作负载开关、DC-DC转换器的同步整流开关或电池保护电路中的功率开关。其低导通电阻有助于降低功耗并提高整体系统效率。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:3.9A
  导通电阻:150mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  总功耗:540mW
  工作结温范围:-55°C至150°C
  封装形式:SOT-23-3

特性

AONS66407具有以下特点:
  1. 极低的导通电阻确保了高效运行,并降低了芯片在大电流下的发热问题。
  2. 高速开关性能,可满足高频应用的需求。
  3. 小型化的SOT-23-3封装设计,能够节省PCB空间。
  4. 提供出色的耐用性和可靠性,在极端温度条件下也能稳定工作。
  5. 适用于多种需要高性能功率开关的应用场景,例如移动设备充电器、便携式电子产品等。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全。

应用

AONS66407广泛应用于各种需要高效功率切换的场合,包括但不限于:
  1. 消费类电子产品中的电源适配器和充电器。
  2. 各种类型的DC-DC转换器,特别是在要求高效率的小型设计中。
  3. 负载开关,用于动态分配电源以优化能源使用。
  4. 电池管理系统,提供过流保护和短路防护功能。
  5. 工业控制设备中的信号调节与功率传输模块。
  6. 通信基础设施中的电源管理和信号路由。

替代型号

AO3401A
  IRLML6402
  FDS6680

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AONS66407参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥9.32765卷带(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)69A(Ta),310A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)0.85毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)162 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)9030 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)7.3W(Ta),215W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线