时间：2025/6/25 11:22:16
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SPP80N06S2-08是一款N沟道功率MOSFET，采用PDFN33封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于需要高效能和紧凑设计的应用场景。其最大漏源电压为60V，连续漏极电流可达80A，适用于电源管理、电机驱动以及各类开关应用。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：80A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：75W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
SPP80N06S2-08具备极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提升系统效率。
该器件支持快速开关，能够降低开关损耗并提高工作频率。
其PDFN33封装形式具有较小的尺寸和良好的散热性能，适合空间受限的设计。
该MOSFET还具备较高的雪崩耐量能力，从而增强了系统的可靠性。
它符合RoHS标准，环保且适合现代化电子产品的制造需求。
该器件广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)、电机驱动电路以及负载开关等场合。
由于其低导通电阻和高电流处理能力，特别适合需要高效率和高可靠性的工业和消费类电子产品。
此外，SPP80N06S2-08还可以用在太阳能逆变器、LED驱动器以及其他功率转换设备中。
IRF840,
STP80NF06,
FDP8880,
IXYS: IXFN80N06T,
Infineon: IPP80N06N
