时间：2025/12/23 23:03:30
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DMP3036SSD是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性。该器件广泛应用于需要高效功率转换的场合，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电源管理电路等。其小尺寸封装设计使其非常适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：6.9A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：8nC
总电容：250pF
工作温度范围：-55℃至175℃
DMP3036SSD具有低导通电阻，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
其高开关速度使得该器件适用于高频开关应用，从而减少磁性元件的体积和成本。
该MOSFET具备优异的热稳定性和鲁棒性，能够在极端温度条件下可靠工作。
此外，DMP3036SSD采用SOT-23-3小型封装，有助于节省PCB空间并简化布局设计。
DMP3036SSD常用于各种功率转换和控制电路中，包括但不限于以下应用：
1. DC-DC转换器中的功率开关
2. 负载开关以实现快速开启/关闭功能
3. 电池保护电路中的过流保护
4. 小型电机驱动中的桥式电路
5. 各类便携式电子设备的电源管理系统
6. 充电器及适配器中的同步整流电路
DMN3036LSSD, DMN3036SSD, FDP3036, BSC30N06NS3
