SI8273ABD-IM1 是 Silicon Labs(芯科科技)推出的一款高性能、双通道隔离式栅极驱动器芯片,采用其专利的数字隔离技术。该芯片专为高电压、高频率的功率转换应用设计,如电源逆变器、电机控制、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等。SI8273ABD-IM1 提供了两个独立的隔离通道,分别用于驱动高边和低边功率开关器件(如MOSFET或IGBT),并具备较高的抗噪能力和工作稳定性。
工作电压:5V至25V
输出驱动电流:±4A(典型值)
传播延迟:50ns(最大值)
上升/下降时间:8ns/7ns(典型值)
隔离耐压:5kVRMS
工作温度范围:-40°C至+125°C
封装类型:8引脚宽体SOIC
SI8273ABD-IM1 的核心特性之一是其基于Silicon Labs专利的数字隔离技术,提供了高达5kVRMS的增强型隔离能力,确保在高压环境下的安全运行。
该芯片的两个输出通道完全独立,适用于驱动半桥结构中的高边和低边功率器件,且具备极低的传播延迟(最大50ns),从而提升了系统的响应速度和效率。
其±4A的输出驱动能力可以满足大多数功率器件的栅极驱动需求,同时具备快速的上升和下降时间(8ns/7ns),降低了开关损耗。
在保护方面,SI8273ABD-IM1具备欠压锁定(UVLO)功能,防止在电源电压不足时误操作,提高系统稳定性。
此外,该芯片的宽工作温度范围(-40°C至+125°C)使其适用于各种恶劣的工业和汽车环境。
8引脚宽体SOIC封装设计不仅节省空间,而且增强了爬电距离,提高了电气安全性。
SI8273ABD-IM1 主要应用于需要高隔离电压和高性能驱动能力的电力电子系统中。
例如,在电机驱动器和变频器中,该芯片可用于驱动MOSFET或IGBT半桥结构,提供高效、可靠的栅极驱动信号。
在太阳能逆变器系统中,SI8273ABD-IM1的高隔离能力和快速响应特性可显著提升系统的安全性和效率。
此外,该芯片也广泛应用于电动汽车的车载充电器(OBC)、DC-DC转换器和电池管理系统(BMS)中。
工业电源、UPS(不间断电源)系统以及智能电网设备中也常见其身影。
由于其优异的抗干扰能力,该芯片也适用于电磁干扰(EMI)较严重的工业现场环境。
UCC21520, ADuM3223, HCPL-J312, NCD57001