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SI8273ABD-IM1 发布时间 时间:2025/7/24 17:47:37 查看 阅读:6

SI8273ABD-IM1 是 Silicon Labs(芯科科技)推出的一款高性能、双通道隔离式栅极驱动器芯片,采用其专利的数字隔离技术。该芯片专为高电压、高频率的功率转换应用设计,如电源逆变器、电机控制、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等。SI8273ABD-IM1 提供了两个独立的隔离通道,分别用于驱动高边和低边功率开关器件(如MOSFET或IGBT),并具备较高的抗噪能力和工作稳定性。

参数

工作电压:5V至25V
  输出驱动电流:±4A(典型值)
  传播延迟:50ns(最大值)
  上升/下降时间:8ns/7ns(典型值)
  隔离耐压:5kVRMS
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  封装类型:8引脚宽体SOIC

特性

SI8273ABD-IM1 的核心特性之一是其基于Silicon Labs专利的数字隔离技术,提供了高达5kVRMS的增强型隔离能力,确保在高压环境下的安全运行。
  该芯片的两个输出通道完全独立,适用于驱动半桥结构中的高边和低边功率器件,且具备极低的传播延迟(最大50ns),从而提升了系统的响应速度和效率。
  其±4A的输出驱动能力可以满足大多数功率器件的栅极驱动需求,同时具备快速的上升和下降时间(8ns/7ns),降低了开关损耗。
  在保护方面,SI8273ABD-IM1具备欠压锁定(UVLO)功能,防止在电源电压不足时误操作,提高系统稳定性。
  此外,该芯片的宽工作温度范围(-40°C至+125°C)使其适用于各种恶劣的工业和汽车环境。
  8引脚宽体SOIC封装设计不仅节省空间,而且增强了爬电距离,提高了电气安全性。

应用

SI8273ABD-IM1 主要应用于需要高隔离电压和高性能驱动能力的电力电子系统中。
  例如,在电机驱动器和变频器中,该芯片可用于驱动MOSFET或IGBT半桥结构,提供高效、可靠的栅极驱动信号。
  在太阳能逆变器系统中,SI8273ABD-IM1的高隔离能力和快速响应特性可显著提升系统的安全性和效率。
  此外,该芯片也广泛应用于电动汽车的车载充电器(OBC)、DC-DC转换器和电池管理系统(BMS)中。
  工业电源、UPS(不间断电源)系统以及智能电网设备中也常见其身影。
  由于其优异的抗干扰能力,该芯片也适用于电磁干扰(EMI)较严重的工业现场环境。

替代型号

UCC21520, ADuM3223, HCPL-J312, NCD57001

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SI8273ABD-IM1参数

  • 现有数量10,069现货
  • 价格1 : ¥48.65000管件
  • 系列Si827x
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 技术射频耦合
  • 通道数2
  • 电压 - 隔离2500Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)200kV/μs
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)75ns,75ns
  • 脉宽失真(最大)8ns
  • 上升/下降时间(典型值)10.5ns,13.3ns
  • 电流 - 输出高、低1.8A,4A
  • 电流 - 峰值输出4A
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)-
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)-
  • 电压 -?输出供电4.6V ~ 30V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳14-VDFN
  • 供应商器件封装14-QFN(5x5)
  • 认证机构CQC,CSA,UR,VDE