您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > JANTX2N4261A

JANTX2N4261A 发布时间 时间:2025/9/2 13:57:21 查看 阅读:25

JANTX2N4261A是一款军事级的N沟道结型场效应晶体管(JFET),主要用于高性能模拟电路和高频放大器应用。这款晶体管符合JANTX标准,这意味着它符合美国军用规范,适用于高可靠性系统,如航空航天、国防设备以及工业控制系统。该器件采用了先进的制造工艺,具有稳定的电气性能和较高的耐用性,可在严苛的环境条件下可靠工作。

参数

类型:N沟道JFET
  漏源电压(VDS):25V
  栅源电压(VGS):-25V
  最大漏极电流(ID):10mA
  耗散功率(PD):300mW
  输入电容(Ciss):7pF
  输出电容(Coss):3pF
  互导(Gm):4000μS
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-72

特性

JANTX2N4261A晶体管具备优异的高频响应能力,使其适用于射频(RF)和高速模拟信号处理应用。该器件的低噪声特性使其在前置放大器和信号接收系统中表现出色。
  其高输入阻抗特性有助于减少电路的负载效应,提高整体系统的稳定性。此外,JANTX2N4261A的制造标准符合MIL-STD-19500或其他相关军用规格,确保其在极端温度和振动环境下仍能保持稳定运行。
  该晶体管的封装形式(TO-72)紧凑且便于安装,适用于空间受限的设计。同时,其耗散功率为300mW,能够在较高的工作温度下保持良好散热性能。
  与其他JFET相比,JANTX2N4261A具有更严格的参数控制和更高的批次一致性,适合高精度模拟电路设计。其互导(Gm)达到4000μS,提供良好的信号放大能力,适用于低噪声前置放大器、电压控制电路、模拟开关和高速信号处理系统。

应用

JANTX2N4261A广泛应用于高频放大器、低噪声前置放大器、射频接收器、精密模拟电路、航空航天电子系统、军用通信设备以及工业自动化控制系统。其高可靠性和稳定性使其成为关键任务系统中的理想选择。

替代型号

2N4261, JANTX2N4260, JFET N-Channel 2N3819, JFET N-Channel BF245

JANTX2N4261A推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价