IX2R11S3 时间：2025/8/6 9:27:14 阅读：14

IX2R11S3是一款由IXYS公司生产的MOSFET驱动芯片，专为高效能电源转换应用设计。这款芯片集成了多种保护功能，如欠压锁定（UVLO）、过流保护（OCP）以及短路保护，能够确保系统在各种工作条件下稳定运行。IX2R11S3采用了先进的CMOS工艺制造，具有高抗干扰能力和低功耗特性，适合用于工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等应用领域。该芯片的封装形式为SOIC-16，便于在PCB上布局并提高系统的可靠性。

参数

类型：MOSFET驱动芯片
　　封装：SOIC-16
　　工作电压范围：10V至30V
　　最大输出电流：±1.5A
　　工作温度范围：-40°C至+125°C
　　输入逻辑类型：TTL/CMOS兼容
　　传播延迟时间：120ns（典型值）
　　上升/下降时间：30ns（典型值）
　　欠压锁定阈值：10V（典型值）
　　输出驱动能力：高/低侧驱动
　　保护功能：过流保护、短路保护、欠压锁定
　　封装材料：塑料封装
　　符合RoHS标准：是

特性

IX2R11S3是一款高性能的MOSFET驱动芯片，具备优异的电气性能和可靠性。其主要特性之一是宽广的工作电压范围，能够在10V至30V之间稳定工作，适用于多种电源系统设计。该芯片内置±1.5A的高输出电流能力，能够快速驱动功率MOSFET，提高系统的响应速度和效率。
　　该芯片的传播延迟时间仅为120ns，确保信号能够快速传输，减少开关损耗，提高电源转换效率。同时，其上升和下降时间较短，典型值为30ns，有助于减少开关过程中的能量损耗，提升整体系统的动态性能。
　　IX2R11S3还具备多重保护功能，包括过流保护、短路保护和欠压锁定（UVLO），能够在异常情况下及时切断驱动信号，保护功率器件免受损坏。这些保护机制有效提升了系统的安全性和稳定性，适用于高要求的工业和汽车电子应用。
　　此外，该芯片的输入逻辑兼容TTL和CMOS电平，方便与各种控制器连接，简化了系统设计。其SOIC-16封装形式不仅节省空间，还具备良好的散热性能，适用于紧凑型设计。同时，该芯片采用低功耗CMOS工艺制造，能够在高温环境下稳定工作，工作温度范围为-40°C至+125°C，适应各种恶劣的工业环境。
　　IX2R11S3还具备较强的抗干扰能力，能够有效防止外部电磁干扰对驱动信号的影响，提高系统的稳定性和可靠性。该芯片广泛应用于高效能电源转换系统，如DC-DC转换器、AC-DC电源、电机驱动器以及工业自动化设备等，是高性能电源系统设计的理想选择。

应用

IX2R11S3广泛应用于需要高效MOSFET驱动的电源转换系统。典型应用包括工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、DC-DC转换器、AC-DC电源模块、电机驱动器以及工业自动化设备等。该芯片的高驱动能力和多重保护功能使其在高功率、高效率的电源系统中表现出色，确保系统稳定可靠运行。