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AONS66405 发布时间 时间:2025/12/23 22:16:18 查看 阅读:21

AONS66405是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高效能电源转换和负载开关应用。
  这款MOSFET的封装形式为DFN3x3-8L,有助于提高散热性能和节省PCB空间。其典型应用场景包括笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备中的负载开关、DC-DC转换器和电池管理电路。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:7.1A
  导通电阻:2.8mΩ
  栅极电荷:13nC
  总电容:980pF
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

AONS66405的主要特性如下:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),确保在高电流应用中减少功率损耗。
  2. 高速开关性能,支持高频电源转换设计。
  3. 小型化DFN封装,适合对空间要求严格的便携式电子设备。
  4. 强大的热性能,可有效降低芯片运行时的温升。
  5. 宽广的工作温度范围,使其能够在恶劣环境下稳定运行。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。

应用

AONS66405广泛应用于以下领域:
  1. 负载开关:用于需要快速切换电流的应用场景。
  2. DC-DC转换器:作为功率级开关元件,提升效率和可靠性。
  3. 电池管理:实现高效的电池充放电控制。
  4. 电机驱动:提供稳定的电流输出以驱动小型直流电机。
  5. 消费类电子产品:如智能手机和平板电脑中的电源管理模块。
  6. 通信设备:为基站、路由器和其他网络设备提供可靠的电源解决方案。

替代型号

AOSS11105D

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AONS66405参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥9.32765卷带(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)68A(Ta),310A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)8V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)0.95 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)165 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)9700 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)7.3W(Ta),215W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线