时间：2025/6/16 18:33:35
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FDMS86163P是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）生产。该器件采用先进的制造工艺设计，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种高效能功率转换应用。它主要应用于开关电源、电机驱动器、DC-DC转换器等领域。
这款MOSFET在高频率和高效应用中表现出色，同时其小尺寸封装使其非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：3.5A
导通电阻：75mΩ
栅极电荷：24nC
总电容：195pF
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-252(DPAK)
FDMS86163P具有非常低的导通电阻Rds(on)，这使得它能够减少传导损耗，从而提高整体系统效率。
该器件的栅极电荷较小，有助于实现更快的开关速度，并降低开关损耗。
此外，它的热性能优良，能够在高温环境下保持稳定运行。由于采用了DPAK封装，散热性能得到了进一步优化，适合高功率密度的应用场景。
FDMS86163P还具备出色的雪崩能力和抗静电能力，增强了器件的可靠性和耐用性。
FDMS86163P广泛应用于各种功率电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动器
4. LED照明驱动电路
5. 电池保护电路
6. 工业控制设备中的功率开关
FDMS86163L
FDMC86163
IRF7413
