MTP3401N3 时间：2025/12/24 5:43:57 阅读：22

MTP3401N3是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理应用，如DC-DC转换器、开关电源和电机驱动等场景。
　　该MOSFET采用了先进的制造工艺，能够有效降低功耗并提高效率。其出色的电气特性和可靠性使其成为高性能电力电子应用的理想选择。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：2.8A
　　导通电阻：130mΩ
　　栅极电荷：3.5nC
　　开关时间：典型值ton=17ns，toff=19ns
　　工作结温范围：-55℃至150℃

特性

MTP3401N3具有以下显著特性：
　　1. 低导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提升整体系统效率。
　　2. 高速开关能力，适合高频开关应用，例如降压或升压转换器。
　　3. 小尺寸TO-252封装，便于PCB布局设计且散热性能良好。
　　4. 提供了宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下的稳定运行。
　　5. 具有较强的抗雪崩能力和高可靠性，适用于恶劣条件下的应用需求。

应用

该芯片主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源中的同步整流电路。
　　2. DC-DC转换器，用于汽车电子和工业自动化设备。
　　3. 电池管理系统(BMS)，用于保护和控制锂电池组。
　　4. 各种小型电机驱动及负载切换电路。
　　5. 其他需要高效功率开关的应用场景，例如LED照明驱动和音频放大器。