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SI7495DP 发布时间 时间:2025/5/30 19:01:07 查看 阅读:9

SI7495DP是Vishay Siliconix公司生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TSSOP封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种需要高效能开关的电路中。其设计特别针对DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及便携式电子设备等应用进行了优化。

参数

最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):31A
  导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ
  栅极电荷(Qg):48nC
  输入电容(Ciss):2040pF
  输出电容(Coss):350pF
  反向传输电容(Crss):65pF
  功耗(PD):140W
  工作温度范围(TJ):-55℃至+175℃

特性

SI7495DP具备低导通电阻,有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  该器件具有快速开关能力,可减少开关损耗,非常适合高频开关应用。
  内置雪崩击穿保护功能,能够在过载条件下提供额外的耐用性。
  其小型化的TSSOP封装节省了PCB空间,同时保持良好的散热性能。
  由于采用了先进的制造工艺,该MOSFET能够稳定运行在较高的结温下,适应严苛的工作环境。

应用

SI7495DP广泛应用于DC-DC转换器中的同步整流、负载点调节以及电池管理。
  在消费类电子产品中,它可以用作负载开关或电源管理单元的一部分。
  工业领域中,此器件适用于电机驱动、电磁阀控制和逆变器。
  此外,SI7495DP也常见于通信基础设施中的功率转换模块和电信设备的供电部分。

替代型号

IRF7495,
  AO7495,
  FDP7495

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