时间：2025/8/2 7:16:37
阅读：15
PMPB33XP 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源管理应用而设计，具备低导通电阻、高电流承载能力和良好的热稳定性。PMPB33XP 通常用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及工业自动化控制等场景。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：180A
最大漏极-源极电压（VDS）：30V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：8.7mΩ（典型值，VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：98nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
PMPB33XP MOSFET采用了先进的沟槽技术，提供了极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了能效。其高电流能力使其适用于高功率密度设计，同时具备出色的热性能，能够在高温环境下稳定工作。该器件的封装形式通常为PowerFLAT 5x6，具备良好的散热性能和空间利用率，适合在紧凑型电路设计中使用。
此外，PMPB33XP具有快速开关特性，降低了开关损耗，适用于高频开关电源应用。其栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V和12V驱动电路，便于与多种控制器或驱动IC配合使用。该MOSFET还具备良好的雪崩能量承受能力，提高了系统在异常工况下的可靠性。
在可靠性方面，PMPB33XP通过了严格的汽车行业标准认证，适用于汽车电子、电动工具、工业电源等对稳定性要求极高的应用场景。
PMPB33XP 主要应用于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动、电池管理系统（BMS）、工业电源、负载开关以及汽车电子系统（如车载充电器、电动助力转向系统等）。由于其高效率和良好的热性能，特别适合于需要高功率输出和紧凑设计的场合。
IPB033N04NG、SiZ104DT、FDMS7610、PSMN331ER、FDS4410A
