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D5S6M 发布时间 时间:2025/12/26 18:56:30 查看 阅读:9

D5S6M是一款常用于电源管理领域的表面贴装整流二极管,属于肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode)的一种。该器件采用SMA(DO-214AC)封装,具有较小的封装体积,适用于高密度印刷电路板设计。D5S6M主要设计用于低压、大电流开关电源应用中,因其具备较低的正向导通压降和快速的反向恢复特性,能有效提升电源转换效率并减少热损耗。该二极管广泛应用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、消费类电子产品以及便携式设备的电源模块中。D5S6M的命名通常遵循行业惯例,其中“D”代表二极管,“5”可能表示系列或额定电流等级,“S6”为型号标识,“M”可能表示封装形式或电压等级。由于其标准化的参数与封装,D5S6M在替代和选型方面具有较高的通用性,常被工程师作为高效整流方案的首选之一。

参数

类型:肖特基二极管
  封装:SMA(DO-214AC)
  最大重复峰值反向电压(VRRM):60V
  最大直流阻断电压(VR):60V
  最大平均正向整流电流(IF(AV)):5.0A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):150A(8.3ms单半正弦波)
  最大正向电压降(VF):0.62V(典型值,@ IF = 5A, TJ = 25°C)
  最大反向漏电流(IR):400μA(@ VR = 60V, TJ = 25°C)
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +125°C
  储存温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
  热阻(RθJA):约50°C/W(依PCB布局而定)
  反向恢复时间(trr):≤ 15ns(典型值)

特性

D5S6M肖特基二极管的核心优势在于其低正向导通压降与快速开关响应能力。由于采用肖特基势垒结构,其内部不存在PN结的少数载流子存储效应,因此反向恢复时间极短,通常在15纳秒以内,显著减少了开关过程中的能量损耗,特别适合高频开关电源系统使用。在5A工作电流下,其正向压降仅为0.62V左右,相比传统快恢复二极管可降低功耗达30%以上,从而提升整体能效并减少散热需求。
  该器件具备60V的反向耐压能力,适用于大多数低压输出的开关电源拓扑结构,如Buck、Boost和Flyback等。其5A的平均整流电流能力使其能够承载较大负载,适用于输出电流较高的DC-DC转换器次级侧整流。同时,高达150A的峰值浪涌电流能力赋予其良好的抗冲击性能,能够在电源启动或负载突变时保持稳定工作。
  D5S6M采用SMA封装,具有良好的热传导性能和机械稳定性,适合自动化贴片生产。其小型化设计有助于节省PCB空间,满足现代电子设备对轻薄化和高集成度的需求。此外,该器件的工作结温可达125°C,可在较严苛的环境温度下可靠运行,适用于工业控制、通信设备及车载电子等多种应用场景。
  从可靠性角度看,D5S6M符合RoHS环保标准,无铅且符合现代绿色制造要求。其反向漏电流在高温条件下虽有所上升,但在正常工作范围内仍处于可控水平。通过优化PCB布局和增加散热焊盘,可进一步提升其长期运行的稳定性与寿命。

应用

D5S6M广泛应用于各类需要高效、低压整流的电源电路中。常见用途包括开关模式电源(SMPS)中的次级整流,特别是在AC-DC适配器、手机充电器、笔记本电源模块中作为输出整流二极管使用。由于其低VF特性,能有效减少热积累,提高整体转换效率,满足能源之星或CoC等能效标准要求。
  在DC-DC转换器中,D5S6M常用于同步整流替代方案或非同步Buck/Boost电路的续流二极管,帮助实现紧凑型高效率电源设计。其快速响应能力也使其适用于高频PWM调制环境下的能量回馈路径。
  此外,该器件还用于电池充电管理电路、LED驱动电源、消费类电子产品(如电视、机顶盒、路由器)的内部电源模块,以及工业控制设备中的隔离电源部分。在太阳能充电控制器、USB PD电源模块等新兴应用中也有广泛应用前景。
  由于其SMA封装易于自动化装配,D5S6M特别适合大规模量产场景,是成本与性能平衡的理想选择。

替代型号

[
   "SR560",
   "MBR560",
   "SS560",
   "SB560",
   "APT5S60M"
  ]

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