时间：2025/7/23 8:30:48
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STU95N4F3是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件主要设计用于高电流和高功率应用，如电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及工业控制系统。STU95N4F3采用先进的MESH OVERLAY技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，使其在高频操作中表现出色，同时具有良好的热稳定性。该器件通常采用TO-220封装，便于安装和散热。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：95A
漏源击穿电压（VDS）：40V
栅源击穿电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大值为3.8mΩ（在VGS=10V时）
最大功耗（Ptot）：200W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-220
STU95N4F3的主要特性包括极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗并提高能效。其先进的MESH OVERLAY技术确保了优异的开关性能和稳定的运行。该器件具备高电流承受能力和良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定工作。
此外，STU95N4F3的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至20V栅极驱动电压，使其适用于多种驱动电路设计。该器件的短路耐受能力强，能够在极端条件下保持稳定运行。
STU95N4F3还具有快速恢复二极管特性，能够有效减少反向恢复损耗，提高系统整体效率。同时，其封装设计便于安装和散热，适用于高功率密度的设计需求。
STU95N4F3广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池充电器以及工业自动化控制系统。其优异的性能使其成为高频开关电源、同步整流器和高电流负载管理的理想选择。此外，该器件还可用于汽车电子系统、可再生能源系统（如太阳能逆变器）以及高性能计算设备的电源管理模块。
STP95N4F3, IPW95N40P, FDP95N40
