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AOND32324 发布时间 时间:2025/4/30 16:34:05 查看 阅读:16

AOND32324 是一款高性能的双通道、高速 N 沆道 MOSFET 驱动器,主要用于需要快速开关和高效率的应用场景。该器件采用先进的 CMOS 工艺制造,具有低静态功耗和强大的驱动能力,能够显著提高系统的整体性能。
  该驱动器适用于广泛的工业和消费类电子应用,例如 DC-DC 转换器、LED 驱动器、电机驱动以及负载开关等。其设计旨在优化功率转换效率并减少电磁干扰(EMI)。

参数

型号:AOND32324
  封装形式:SOIC-8
  输入电压范围:4.5V 至 18V
  输出电流:±2.5A 峰值
  传播延迟:典型值 9ns
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  静态电流:最大 6μA(在 VDD=15V)
  逻辑输入兼容性:与标准 CMOS 和 TTL 电平兼容

特性

AOND32324 具有以下主要特性:
  1. 双通道独立控制,支持同时驱动两个 N 沟道 MOSFET;
  2. 高速开关性能,适合高频功率转换应用;
  3. 内置保护机制,包括过热关断和短路保护功能,以增强系统可靠性;
  4. 极低的传播延迟确保快速响应时间;
  5. 高驱动能力,能够有效降低导通电阻,从而提高效率;
  6. 宽泛的工作电压范围使其适应多种电源环境。

应用

AOND32324 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器;
  2. LED 照明及驱动电路;
  3. 小型电机驱动和控制;
  4. 各种负载开关和电池管理方案;
  5. 工业自动化设备中的功率级驱动;
  6. 消费类电子产品中的电源管理和信号调节模块。

替代型号

AOD32324, AOND32322

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AOND32324参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥3.33130卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置N 和 P 沟道
  • FET 功能标准
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)13A(Ta),16A(Tc),15A(Ta),16A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)14 毫欧 @ 12A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)20nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)760pF @ 15V,1995pF @ 15V
  • 功率 - 最大值3.5W(Ta),12.5W(Tc),4.1W(Ta),30W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)