时间：2025/5/23 11:16:35
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FHP7N60是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高电压和高效率的应用场景，能够实现低导通电阻和快速开关性能。其设计旨在满足工业、汽车以及消费类电子设备中的电源管理需求。
FHP7N60的额定耐压为600V，这使其能够在高压环境下稳定工作。此外，该芯片具有较低的漏源极导通电阻（Rds(on)），从而减少功率损耗并提高系统效率。这款MOSFET广泛用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能开关的场合。
最大漏源电压：600V
最大漏极电流：7A
导通电阻（Rds(on)）：1.3Ω（典型值，在Vgs=10V时）
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
功耗：35W
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
1. 高耐压能力，支持高达600V的工作电压，适合各种高压应用环境。
2. 低导通电阻设计，有助于降低功率损耗并提升整体效率。
3. 快速开关速度，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关电路。
4. 具备出色的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
5. 内置防静电保护机制，提高了器件在实际使用中的鲁棒性。
6. 封装形式标准化，便于安装和散热设计。
1. 开关电源（SMPS）及DC-DC转换器。
2. 电机驱动与控制，如步进电机、无刷直流电机等。
3. 太阳能逆变器及其他可再生能源相关设备。
4. 工业自动化领域的负载切换和功率调节。
5. 汽车电子系统中的电源管理和驱动模块。
6. 各种消费类电子产品中的高压开关电路。
IRF840, STP7NK60Z, FQA7N60C
