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AON7380 发布时间 时间:2025/5/7 17:10:15 查看 阅读:29

AON7380是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程工艺制造,具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性等优势,非常适合应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。AON7380通常用于负载开关、DC-DC转换器、电机驱动以及电池管理等电路中。
  AON7380的封装形式为DFN3x3-8L,这种小型化封装使其特别适合空间受限的设计。同时,其较低的热阻保证了在高功率应用中的良好散热性能。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:6.1A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:20nC
  开关速度:非常快
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃

特性

AON7380具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低功率损耗。
  2. 高效的开关性能,适用于高频操作环境。
  3. 小尺寸DFN3x3-8L封装,有助于减少PCB占用面积。
  4. 良好的热稳定性,能够承受较宽的工作温度范围。
  5. 内置ESD保护功能,提高器件抗静电能力。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
  这些特性使得AON7380成为高性能功率管理应用的理想选择。

应用

AON7380广泛应用于以下领域:
  1. 手机和平板电脑中的负载开关。
  2. DC-DC转换器和POL(Point of Load)稳压器。
  3. USB充电端口保护及便携式设备的电源管理。
  4. 电机驱动与背光驱动电路。
  5. 电池管理系统(BMS),如锂电池保护电路。
  由于其低功耗和高效能特点,AON7380在各类便携式电子产品中尤为适用。

替代型号

AOT291L, AOI2S08

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AON7380参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格5,000 : ¥1.23459卷带(TR)
  • 系列AlphaMOS
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)24A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6.8 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)25 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)825 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)4.1W(Ta),24W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN-EP(3x3)
  • 封装/外壳8-PowerVDFN