AON7380是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程工艺制造,具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性等优势,非常适合应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。AON7380通常用于负载开关、DC-DC转换器、电机驱动以及电池管理等电路中。
AON7380的封装形式为DFN3x3-8L,这种小型化封装使其特别适合空间受限的设计。同时,其较低的热阻保证了在高功率应用中的良好散热性能。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:6.1A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:20nC
开关速度:非常快
工作温度范围:-55℃ 至 150℃
AON7380具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低功率损耗。
2. 高效的开关性能,适用于高频操作环境。
3. 小尺寸DFN3x3-8L封装,有助于减少PCB占用面积。
4. 良好的热稳定性,能够承受较宽的工作温度范围。
5. 内置ESD保护功能,提高器件抗静电能力。
6. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
这些特性使得AON7380成为高性能功率管理应用的理想选择。
AON7380广泛应用于以下领域:
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. DC-DC转换器和POL(Point of Load)稳压器。
3. USB充电端口保护及便携式设备的电源管理。
4. 电机驱动与背光驱动电路。
5. 电池管理系统(BMS),如锂电池保护电路。
由于其低功耗和高效能特点,AON7380在各类便携式电子产品中尤为适用。
AOT291L, AOI2S08