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NTZD5110NT1G 发布时间 时间:2023/4/13 11:22:53 查看 阅读:481

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFETs - 阵列

目录

概述

类别:分离式半导体产品

家庭:MOSFETs - 阵列

FET 型:2 个 N 沟道(双)

FET 特点:逻辑电平门

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.6 欧姆 @ 500mA, 10V

漏极至源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:294mA

Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250?A

闸电荷(Qg) @ Vgs:0.7nC @ 4.5V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) :24.5pF @ 20V

功率 - 最大:250mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-563, SOT-6

包装:带卷 (TR)

供应商设备封装:SOT-563

资料

厂商
ON Semiconductor

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NTZD5110NT1G参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C294mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.6 欧姆 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs0.7nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds24.5pF @ 20V
  • 功率 - 最大250mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装SOT-563
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTZD5110NT1G-NDNTZD5110NT1GOSTR