型号：AM29BL162CB-65RZI
　　制造商：AMD / Spansion / Cypress
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：16 Mbit（2 MB）
　　组织结构：2M x 8-bit / 1M x 16-bit
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V
　　访问时间：65 ns
　　封装类型：8x14mm TSOP
　　引脚数：56-pin
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行接口
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　写保护功能：硬件WP#引脚支持
　　擦除方式：扇区擦除、整片擦除
　　编程机制：字节/字编程

AM29BL162CB-65RZI采用了Spansion独有的MirrorBit?技术，这项创新的存储单元设计允许每个物理存储单元存储两个独立的数据位，通过在氮化物层中不同位置捕获电荷来实现多比特存储。这种结构不仅显著提高了存储密度，还在不增加芯片尺寸的情况下实现了容量翻倍，从而降低了每比特的成本。MirrorBit技术还具备优异的耐久性和数据保持能力，典型情况下可支持10万次编程/擦除周期，并能可靠地保存数据长达20年。该技术对辐射和环境干扰具有较强的抗扰性，非常适合工业与汽车级应用场景。
　　该器件支持两种工作模式：异步读取模式和命令用户接口（CUI）模式。在正常操作下，芯片作为标准NOR Flash运行，支持快速随机访问，适用于代码执行和数据存储。通过向特定地址写入命令序列，可以进入CUI模式，执行诸如擦除、编程、查询状态等操作。内部状态机（ISM）能够自动完成复杂的编程和擦除流程，包括电压调节、脉冲施加和验证步骤，极大地减轻了主机处理器的负担，并提高了写入操作的可靠性。
　　为了提升系统安全性与稳定性，AM29BL162CB-65RZI提供了多个保护机制。其中包括硬件写保护引脚（WP#），当其被拉低时可防止意外修改关键固件区域；此外，还支持扇区保护功能，允许用户锁定特定扇区以防止非法访问或篡改。芯片内部集成VPP检测电路，确保在电压不稳定时不会执行写入操作，避免数据损坏。所有编程和擦除操作均使用内部电荷泵生成所需的高压，无需外部高压电源，简化了系统电源设计。
　　该器件兼容JEDEC标准命令集，支持Common Flash Interface (CFI)，使得系统可以通过标准化的方式查询芯片参数（如厂商ID、设备ID、块结构、电压要求等），从而实现跨厂商闪存的互换性和软件兼容性。CFI信息存储在固定的地址空间内，便于引导加载程序或操作系统进行识别与配置。此外，AM29BL162CB-65RZI支持低功耗待机模式，在未激活状态下电流消耗极低，有助于延长电池供电设备的工作时间。

AM29BL162CB-65RZI广泛应用于需要高可靠性、快速启动和本地代码执行能力的嵌入式系统中。在通信设备领域，它常用于路由器、交换机和基站控制器中存储固件、引导程序和配置数据，得益于其快速读取能力和长期数据保持特性，确保设备能够在断电重启后迅速恢复运行。在工业自动化控制系统中，该芯片被用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块，用于存放控制逻辑、参数设置和诊断信息，其宽温工作范围和抗干扰能力满足严苛工业环境的要求。
　　在消费类电子产品中，AM29BL162CB-65RZI可用于数字电视、机顶盒、打印机和多媒体播放器等设备，作为主控MCU的外部程序存储器，支持XIP（就地执行）功能，使系统可以直接从Flash中运行操作系统或应用程序，减少对RAM的需求，降低整体系统成本。在汽车电子领域，虽然该型号并非AEC-Q100认证产品，但在部分车载信息娱乐系统或辅助控制单元中仍有应用，尤其是在非动力总成系统中用于存储图形界面资源、音频数据或升级固件。
　　此外，该芯片也适用于医疗设备、测试仪器和安防监控系统等对数据完整性要求较高的场合。例如，在便携式医疗监测仪中，可用于存储校准参数、设备序列号和患者历史记录；在工业仪表中，用于保存测量算法和通信协议栈。由于其具备扇区保护和写保护功能，特别适合需要防止误擦写的场景。同时，其并行接口提供了较高的数据吞吐率，适合需要频繁读取大量静态数据的应用。随着串行NOR Flash的发展，该类并行器件更多用于原有设计延续或对带宽要求较高的特定场景。

S29GL128P-65DHI-ZK
　　S29GL128P-65DHI-ZK
　　CY29GL128E-65BZI-Z