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K1012-01 发布时间 时间:2025/8/9 7:36:04 查看 阅读:17

K1012-01 是一款由韩国公司Kec Corporation生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和功率开关应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于DC-DC转换器、电机驱动、电池充电器和各种开关电源电路。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电流(ID):12A
  最大漏-源电压(VDS):100V
  最大栅-源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):≤0.35Ω(在VGS=10V时)
  功率耗散(PD):80W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-220

特性

K1012-01 MOSFET具备多个关键特性,使其适用于高效率功率转换应用。
  首先,该器件具有较低的导通电阻(RDS(on)),在VGS=10V时通常低于0.35Ω,这意味着在导通状态下,器件的功率损耗较低,从而提高了整体系统的效率。这对于电池供电设备和高能效电源系统尤为重要。
  其次,K1012-01的漏-源电压额定值为100V,能够承受较高的电压应力,适用于多种中高压应用环境,如DC-DC转换器、马达控制和开关电源等。此外,其最大漏极电流为12A,能够支持较高功率负载的切换操作。
  该MOSFET还具有良好的热稳定性和较高的功率耗散能力(80W),使其在高负载条件下仍能保持稳定工作。TO-220封装不仅提供了良好的散热性能,还具备较高的机械强度和安装便利性,适合工业级应用。
  另外,K1012-01的栅极驱动电压范围较宽,允许使用常见的10V至15V驱动信号,与多种控制IC兼容。其快速开关特性也减少了开关损耗,有助于提升系统响应速度和整体效率。
  综上所述,K1012-01是一款性能稳定、适用范围广的N沟道MOSFET,特别适用于需要中高功率开关控制的应用场景。

应用

K1012-01 MOSFET广泛应用于多个电子系统中,主要包括:
  1. 开关电源(SMPS):用于功率转换和稳压电路,提高电源效率并减少发热。
  2. DC-DC转换器:如Boost、Buck电路,适用于便携式设备、电动车和太阳能逆变器中的电压调节系统。
  3. 电机驱动器:用于控制直流电机或步进电机的开关,常见于工业自动化和家电设备中。
  4. 电池管理系统(BMS):作为充放电控制开关,保护电池免受过流和短路损坏。
  5. LED照明驱动:用于高亮度LED的恒流控制电路。
  6. 电源管理模块:用于多路电源切换或负载控制,适用于服务器、通信设备和嵌入式系统。
  7. 电子负载和测试设备:用于可编程负载控制和电路测试。
  由于其良好的性能和广泛的应用场景,K1012-01成为许多中功率电子设计中的首选器件。

替代型号

IRF540N, FQP12N10L, STP12NM50N, 2SK1012

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