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HY6264ALLP-10 发布时间 时间:2025/7/16 18:54:39 查看 阅读:10

HY6264ALLP-10是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的64K位(8K x 8)静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用高性能CMOS技术制造,具有高速访问时间和低功耗的特点,适用于需要高速数据存储和处理的应用场景。HY6264ALLP-10采用28引脚SSOP封装,工作温度范围为工业级(-40°C至+85°C),适用于各种工业和通信设备。

参数

容量:8K x 8位
  访问时间:10ns
  电源电压:5V
  封装类型:28引脚SSOP
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  输入/输出电压:TTL兼容
  封装尺寸:约15.9mm x 7.5mm
  最大工作频率:100MHz
  待机电流:最大10mA(典型值3mA)
  主动读取电流:最大180mA(典型值100mA)

特性

HY6264ALLP-10是一款高性能SRAM芯片,具有快速访问时间和低功耗特性。其访问时间为10ns,支持高速数据读写操作,适用于对响应时间要求较高的系统设计。芯片采用CMOS技术制造,具有较高的抗干扰能力和稳定性,适用于工业环境下的长期运行。此外,HY6264ALLP-10支持TTL电平输入和输出,便于与多种逻辑电路接口连接。该芯片的封装形式为28引脚SSOP,体积小巧,适合在空间受限的电路板上使用。低功耗设计使其在待机模式下仅消耗极少量电流,有助于延长设备的电池续航时间。
  该芯片还具备宽工作温度范围(-40°C至+85°C),满足工业级应用需求,适用于各种严苛环境下的设备。HY6264ALLP-10在设计上具备良好的兼容性,可替代其他厂商的同类型SRAM芯片,如Cypress CY6264BVLLP-10、ISSI IS62LV6416AL等。其高速度和低功耗的特性使其成为嵌入式系统、工业控制、通信设备和消费类电子产品中的理想选择。

应用

HY6264ALLP-10广泛应用于需要高速数据存储的嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络设备、测试仪器以及消费类电子产品中。该芯片适用于需要频繁读写和高速访问的场景,如数据缓存、程序存储、缓冲存储器等。由于其低功耗和宽温度范围,HY6264ALLP-10也常用于便携式设备、智能仪表和自动化控制系统中。例如,在通信设备中,HY6264ALLP-10可用于存储临时数据和配置信息;在工业控制领域,可用于实时数据采集和处理;在嵌入式系统中,作为高速缓存或主存储器使用。该芯片的TTL兼容性和高速性能也使其适用于老式计算机系统和工控主板的扩展内存设计。

替代型号

CY6264BVLLP-10,IS62LV6416ALL,MB8464A-10NS,XC6264A-10LL

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