CHA3694-QDG 时间：2025/12/28 12:36:24 阅读：12

CHA3694-QDG 是一款由Qorvo公司推出的高性能射频功率放大器（RF Power Amplifier）芯片，采用先进的GaAs（砷化镓）异质结双极晶体管（HBT）工艺制造。该器件专为宽带无线通信系统设计，适用于蜂窝基础设施、微波通信、无线回传和测试设备等多种应用领域。CHA3694-QDG具备高线性度、高效率和高输出功率的特性，适合在高频段（如2.3 GHz至3.8 GHz）下运行，能够满足现代通信系统对高带宽和低失真的需求。其封装形式为符合RoHS标准的表面贴装（SMD）封装，便于集成到复杂的射频电路中。

参数

工作频率：2.3 GHz - 3.8 GHz
　　输出功率：典型值为33 dBm
　　增益：典型值为17 dB
　　效率：典型PAE（功率附加效率）为40%
　　线性度：支持高线性度应用
　　输入/输出匹配：50Ω标准匹配
　　电源电压：典型为28V
　　封装类型：QFN（Quad Flat No-leads）
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

特性

CHA3694-QDG是一款专为高要求射频应用设计的宽带功率放大器芯片，其基于GaAs HBT工艺技术，具有优异的高频性能和热稳定性，适合工作在2.3 GHz至3.8 GHz的频段范围内。
　　该芯片的典型输出功率为33 dBm，适用于需要高输出功率的通信系统。其增益为17 dB，能够有效放大输入信号，降低系统对前级放大器的要求，从而简化整体设计。功率附加效率（PAE）高达40%，表明该芯片在高效能运作的同时减少了功耗和热量产生，有利于提升系统的整体能效并延长设备寿命。
　　CHA3694-QDG具备良好的线性度表现，能够满足对信号保真度要求较高的应用，例如在LTE、5G和其他宽带通信系统中使用时，可有效减少信号失真和互调干扰。该芯片的输入和输出端均进行了50Ω阻抗匹配优化，简化了外部电路设计，减少了匹配网络的复杂性和成本。
　　其电源电压为典型的28V，支持广泛使用的射频电源架构。封装采用符合RoHS标准的QFN封装，具备良好的热管理能力，适合高密度表面贴装工艺，并可在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定工作，适用于各种恶劣的工业和户外环境条件。

应用

CHA3694-QDG主要应用于高性能射频和微波通信系统中。其高输出功率、高线性度和宽带工作能力使其成为蜂窝基站（如4G LTE和5G NR）、无线回传系统、点对点和点对多点微波通信设备、测试仪器和宽带放大器等领域的理想选择。此外，该芯片也可用于军事通信、工业控制系统和广播设备中的射频功率放大环节。由于其优异的热稳定性和可靠性，CHA3694-QDG特别适用于需要长时间连续运行的高要求系统中。