时间：2025/8/6 7:31:28
阅读：33
VGO36-16I07 是一款由 Vishay（威世）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高效率的电力电子应用中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于电源转换、电机控制、逆变器和其它高功率应用。VGO36-16I07 封装在高性能的PowerPAK? 1212-8封装中，提供良好的热管理和电气性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：160A（在Tc=25°C时）
导通电阻(Rds(on))：最大7.0mΩ（在Vgs=10V时）
最大功耗(Pd)：300W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerPAK? 1212-8
VGO36-16I07 MOSFET 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件在Vgs=10V时的Rds(on)最大仅为7.0mΩ，使其适用于高电流应用。
此外，该MOSFET采用了先进的沟槽式技术，优化了开关性能，减少了开关损耗，从而提高了整体系统效率。其快速开关特性使得它在高频应用中表现优异，如DC-DC转换器和同步整流器。
VGO36-16I07采用PowerPAK? 1212-8封装，这种封装技术具有优异的热管理能力，能够有效地将热量从芯片传导到外部环境，从而保证器件在高负载条件下仍能稳定工作。
该器件的工作温度范围为-55°C至175°C，显示出良好的热稳定性和可靠性，适用于严苛的工作环境，如工业控制、汽车电子和能源管理系统。
另外，VGO36-16I07具备较高的栅极电荷（Qg）和较低的米勒电荷（Qgd），这有助于减少驱动电路的复杂性和损耗，同时提高开关速度和效率。
VGO36-16I07 MOSFET广泛应用于高功率和高效率的电力电子系统中。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统、电源模块以及工业自动化设备中的功率控制电路。
在DC-DC转换器中，VGO36-16I07可用于高侧和低侧开关，其低导通电阻和快速开关特性有助于提高转换效率并减少热量产生。在同步整流器中，该MOSFET的低Rds(on)特性能够有效降低导通损耗，提高整体系统效率。
在电机驱动和逆变器应用中，VGO36-16I07的高电流能力和快速开关性能使其成为理想选择，能够在高负载条件下稳定工作。此外，该器件也适用于高功率电池管理系统，如电动汽车和储能系统的电源管理模块。
由于其优异的热管理和宽工作温度范围，VGO36-16I07也可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车身控制模块。
SiS160N10NQ, Nexperia PSMN1R5-100YS
