类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：500V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：7A
　　导通电阻(Rds(on))：最大值1.2Ω
　　耗散功率(Pd)：75W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

BF847的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压可达500V，使其适用于高压电路设计。该器件具备7A的连续漏极电流，能够处理较高的功率负载。导通电阻的最大值为1.2Ω，较低的Rds(on)值有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，BF847具有±30V的栅源电压耐受能力，提供了良好的栅极保护，防止因过高的驱动电压导致损坏。
　　BF847采用TO-220封装，这种封装形式具备良好的散热性能，适合高功率应用场景。器件的热阻较低，有助于将热量快速散发，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。此外，BF847的开关速度快，适合用于高频开关电路，从而减小外围元件的尺寸并提高整体系统的效率。
　　该MOSFET还具备较高的可靠性，适用于工业级应用环境。其工作温度范围从-55°C到+150°C，能够在极端温度条件下正常运行。此外，BF847的设计使其具备较强的抗干扰能力，适用于电磁环境复杂的工业控制系统。

BF847广泛应用于各种电力电子系统中，特别是在需要中高功率开关能力的场合。常见应用包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器和负载开关电路。由于其高耐压和较大的电流承载能力，BF847特别适合用于工业自动化设备中的功率控制部分，如PLC（可编程逻辑控制器）输出模块和继电器替代电路。
　　在电机控制应用中，BF847可用于H桥电路，实现电机的正反转控制。其快速开关特性有助于提高控制精度和响应速度。此外，该器件还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制，确保电池的安全高效运行。BF847的高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于户外设备和工业控制系统，在恶劣环境中提供稳定的性能。
　　在照明控制领域，BF847可用于LED驱动电路，实现高效率的恒流控制。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高照明系统的能效。此外，BF847还可用于家电中的功率控制，如电饭煲、电磁炉等产品的加热控制模块。

IRF840, FDPF840, STP7NK50Z, 2SK2647