器件型号：LNC2G562MSEH
　　制造商：Littelfuse
　　通道数：2
　　工作电压（VRWM）：5.6V
　　击穿电压（VBR）：6.4V @ 1mA
　　最大峰值脉冲电流（IPP）：3.5A
　　钳位电压（VC）：12.8V @ 3.5A
　　寄生电容（Typical）：0.3pF
　　ESD耐受能力（IEC 61000-4-2）：±30kV（接触放电）
　　极性：双向
　　封装类型：DFN-6
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　功率耗散（PPPM）：300W（8x20μs脉冲）

LNC2G562MSEH具备卓越的瞬态抑制性能，能够在纳秒级时间内响应高达±30kV的静电放电冲击，有效防止因人体接触或环境静电引起的系统故障。其核心优势之一是超低的结电容，典型值仅为0.3pF，这一特性使其非常适合用于高速信号传输线路，如USB 3.0、HDMI 2.0、DisplayPort等，不会对信号完整性造成明显影响，避免了高频衰减、反射和串扰等问题。此外，该器件采用双向保护结构，能够同时应对正向和负向的瞬态电压冲击，增强了系统的鲁棒性。
　　该TVS阵列采用了优化的芯片级封装技术，不仅减小了整体尺寸，还降低了内部引线电感，进一步提升了高频响应能力和能量吸收效率。其DFN-6封装具有良好的热导性能，有助于在大电流瞬变期间快速散热，延长器件寿命。LNC2G562MSEH的设计充分考虑了现代电子设备对可靠性和小型化的双重需求，在极端温度条件下仍能保持稳定的电气性能，适用于工业级和消费级应用场景。
　　另一个关键特性是其低动态电阻和稳定的钳位电压表现。当遭遇ESD事件时，器件迅速进入雪崩击穿状态，将电压限制在安全范围内（最大12.8V），从而确保后端IC不会承受超过其绝对最大额定值的电压应力。这种可靠的电压钳位机制结合高浪涌电流承受能力（3.5A），使得LNC2G562MSEH成为保护精密模拟前端、ADC输入端口以及高速逻辑接口的理想选择。此外，该器件无需外部偏置电源即可自动工作，简化了电路设计并减少了BOM成本。

LNC2G562MSEH主要用于各类需要高等级ESD防护的高速数据接口保护。典型应用包括智能手机和平板电脑中的USB Type-C端口、音频耳机插孔、摄像头模块接口以及触摸屏控制器连接线。在笔记本电脑和超极本中，它被广泛用于HDMI、Mini DisplayPort和Thunderbolt接口的信号线保护，防止用户插拔过程中引入的静电损坏主控芯片。此外，该器件也适用于工业通信模块，如RS-485、CAN总线收发器的辅助保护，以及消费类物联网设备中的传感器信号调理电路。
　　由于其出色的高频特性，LNC2G562MSEH还可用于射频前端模块的直流偏置线路或低功耗无线模块（如Wi-Fi、Bluetooth、Zigbee）的I/O引脚保护。在汽车电子领域，尽管该器件主要面向消费类市场，但在非动力域的车载信息娱乐系统（IVI）中也可用于USB充电口和A/V输入端子的ESD防护。其紧凑的DFN封装便于自动化贴装，适合大规模SMT生产工艺，提升了生产效率和产品一致性。总之，任何存在静电暴露风险且要求低电容、高响应速度的电子系统均可受益于LNC2G562MSEH所提供的集成化保护方案。

SP1205-04UTG