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AONS34304C 发布时间 时间:2025/7/9 17:40:13 查看 阅读:11

AONS34304C 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor (AOS) 公司生产的高性能 N 沟道 MOSFET 芯片。该芯片采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及各种功率转换应用。其封装形式为 LFPAK88(PowerSO8),能够提供卓越的散热性能和电气特性。
  该器件支持较高的连续漏极电流,并具备较低的栅极电荷和输出电容,有助于提高整体系统效率并降低功耗。此外,AONS34304C 的设计符合 RoHS 标准,确保环保和可持续性。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:126A
  导通电阻:0.5mΩ
  栅极电荷:28nC
  总电容:3970pF
  工作结温范围:-55°C 至 175°C

特性

AONS34304C 的主要特点是其超低的导通电阻(Rds(on)),仅为 0.5mΩ,这使其在高电流应用中表现出色,同时显著减少了传导损耗。
  该器件还具有快速的开关性能,得益于其低栅极电荷(Qg)和优化的输出电容(Coss)。这些特性共同提高了效率,降低了系统的热损耗。
  此外,LFPAK88 封装提供了出色的散热能力,支持更高的功率密度和更紧凑的设计。该芯片的工作温度范围广泛,能够在极端环境下稳定运行,适用于工业、汽车和消费类电子领域。

应用

AONS34304C 广泛应用于多种电力电子场景,包括但不限于以下领域:
  1. DC-DC 转换器中的同步整流开关
  2. 电池管理系统中的负载开关
  3. 电机驱动电路中的功率级开关
  4. 电信和网络设备中的高效功率转换
  5. 工业电源和逆变器中的功率调节
  由于其优异的性能和可靠性,该芯片是许多高功率密度设计的理想选择。

替代型号

AONS34302C
  AONS34303C
  IRL3103PBF

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AONS34304C参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥8.79711卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)84A(Ta),200A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)0.68 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)340 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)11200 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)7.3W(Ta),208W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线