时间：2025/8/2 6:20:30
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DMP2035UFDF-7是一款由Diodes公司生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效能和高可靠性应用而设计。该器件采用小型DFN（Dual Flat No-lead）封装，适用于空间受限的便携式设备和高密度电路设计。DMP2035UFDF-7具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适合用于负载开关、电源管理和电池供电设备中的功率控制。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：6A
导通电阻(Rds(on))：28mΩ @ Vgs = -4.5V
导通电阻(Rds(on))：38mΩ @ Vgs = -2.5V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：DFN-8
DMP2035UFDF-7的主要特性之一是其低导通电阻，这使得该器件在导通状态下能够实现极低的功率损耗，从而提高整体系统效率。该器件的Rds(on)在Vgs为-4.5V时为28mΩ，在Vgs为-2.5V时为38mΩ，这使得它能够在低电压控制条件下仍保持良好的性能。
此外，DMP2035UFDF-7采用DFN-8封装，具有较小的封装尺寸和良好的热性能，有助于在高功率密度应用中实现更高效的散热管理。其额定漏极电流为6A，适合中等功率的开关应用。
DMP2035UFDF-7广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要高效功率管理的场合。常见的应用包括电池供电设备的电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电源控制器以及便携式电子设备中的功率控制电路。由于其良好的热管理和小尺寸特性，它也适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品。在工业和汽车电子系统中，该器件可用于电机驱动、传感器电源控制和通信设备中的功率调节模块。
Si3442CDV-T1-GE3, DMG2035UX-7, AO4406A
