容量：8GB（64Gb）
　　类型：LPDDR4
　　电压：1.1V / 2.5V（核心电压/IO电压）
　　数据速率：3200Mbps
　　封装类型：BGA（球栅阵列封装）
　　封装尺寸：130-ball FBGA
　　温度范围：工业级温度范围（-40°C至+85°C）
　　工作频率：1600MHz
　　数据宽度：x16

H9CKNNNBPTATDR-NUHR 作为 LPDDR4 系列的高端 DRAM 芯片，具备多项先进技术特性。其核心电压为 1.1V，I/O 电压为 2.5V，显著降低了功耗，延长了移动设备的电池寿命。该芯片的数据传输速率达到 3200Mbps，在 1600MHz 的时钟频率下运行，支持高带宽需求的应用场景。
　　该芯片采用 x16 数据位宽设计，使得单颗芯片即可提供更高的数据吞吐能力。其封装形式为 130-ball FBGA（细间距球栅阵列封装），具有良好的电气性能和热管理能力，适用于空间受限的高密度主板设计。
　　此外，该芯片支持工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），可在严苛的环境条件下稳定运行，适用于车载系统、工业控制、嵌入式设备等对可靠性要求较高的应用场合。
　　LPDDR4 架构还引入了多项新技术，如伪开漏（POD）驱动器、决策反馈均衡（DFE）、写入均衡（Write Leveling）和校准机制（ZQ Calibration），确保在高频下仍能保持信号完整性与稳定性。

H9CKNNNBPTATDR-NUHR 主要应用于需要高性能内存的移动和嵌入式系统中。典型应用包括高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、便携式游戏机、AR/VR 设备、车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）、高性能计算模块（HPC）、边缘计算设备以及工业自动化控制系统。
　　由于其低功耗特性和高数据带宽，它也非常适合用于 AI 加速器、图像处理单元（GPU）缓存、机器学习边缘设备以及高速缓存存储系统。在服务器和网络设备中，该芯片可用于需要快速响应和低功耗内存的嵌入式控制器或存储扩展模块。
　　该芯片的工业级温度范围使其在户外设备、工业机器人、智能监控系统等应用中表现出色，能够适应复杂的工作环境。

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