类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：78A
　　导通电阻（RDS(on)）：约5mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：120W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220、TO-263（D2PAK）等

WST3078 以其低导通电阻和高电流承载能力著称，这使得它在高效率电源转换应用中表现优异。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，有效降低了导通损耗并提高了热稳定性。其高耐压特性（30V VDS）使其适用于多种中低压应用场景，例如电池管理系统、DC-DC降压/升压变换器、负载开关和电机控制电路。
　　此外，WST3078 具备良好的热管理性能，能够在高负载条件下保持稳定工作温度，从而提高系统可靠性和寿命。其封装形式（如TO-220或D2PAK）便于散热设计，适用于通孔插装（THT）或表面贴装（SMT）工艺。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，适用于高频开关电路，有助于减小外围元件尺寸并提升整体系统效率。栅极驱动电压兼容性强，通常可在4.5V至20V范围内正常工作，适应多种驱动电路设计。

WST3078 广泛应用于各种电子设备和系统中，包括：
　　- 开关电源（SMPS）：用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等，提供高效的能量转换。
　　- 电机驱动：适用于直流电机、步进电机等控制电路，实现高效率的功率控制。
　　- LED照明：用于LED驱动电路，提供稳定的电流控制和高能效。
　　- 电池管理系统（BMS）：用于保护和控制电池充放电过程。
　　- 工业自动化设备：如PLC、伺服驱动器、工业电源等。
　　- 汽车电子：如车载充电器、电动工具、车灯控制系统等。
　　由于其高可靠性和广泛适用性，WST3078 成为许多中高功率电子系统中的常用器件。

IRF3710, STP75NF75, FDP3078