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SQ2362ES-T1_GE3 发布时间 时间:2025/5/29 22:36:29 查看 阅读:22

SQ2362ES-T1_GE3 是一款高性能的肖特基二极管,广泛应用于电源管理、开关电源和高频整流等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低正向压降和快速恢复时间的特点,能够有效提高电路效率并减少能量损耗。
  肖特基二极管因其独特的结构特性,在高频应用中表现出色,同时具备良好的热稳定性和可靠性,适用于各种工业及消费类电子产品。

参数

最大正向电流:8A
  峰值反向电压:40V
  正向压降:0.45V(典型值,@If=1A)
  反向恢复时间:小于50ns
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-220

特性

SQ2362ES-T1_GE3 的主要特点是低正向压降,这使得它在高电流应用中能够显著降低功耗。此外,其快速的反向恢复时间使其非常适合高频开关应用。
  该器件还具有较高的浪涌电流能力,能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。其出色的热性能允许其在高温环境下稳定运行,进一步拓宽了其应用场景。
  此外,SQ2362ES-T1_GE3 采用标准 TO-220 封装,易于安装和使用,且与市场上许多其他型号兼容,方便设计人员进行替换或升级。

应用

SQ2362ES-T1_GE3 广泛应用于直流-直流转换器、开关电源、太阳能逆变器、电机驱动器以及汽车电子系统等场景。
  在电源管理领域,该器件常用于整流和续流功能;在高频电路中,其快速响应特性使其成为理想的二极管选择。
  由于其高耐温能力和大电流处理能力,该器件也适合于恶劣环境下的工业控制设备。

替代型号

SQ2362ES-T1
  SQM2362ET1
  MBR840U
  STPS8M40
  FSCQ840

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SQ2362ES-T1_GE3参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥5.33000剪切带(CT)3,000 : ¥1.87867卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.3A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)95 毫欧 @ 4.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)12 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)550 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3