容量：256MB
　　数据宽度：16位
　　电压：1.8V
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：54-ball FBGA
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　接口类型：DRAM接口
　　时钟频率：最高支持166MHz
　　数据速率：333Mbps
　　CAS延迟：2.5ns

H5DU2562GTRFAC 具备多个显著的性能特点，首先，它采用1.8V低电压供电，有助于降低功耗和发热，适用于对功耗敏感的系统设计。其次，该芯片的数据速率达到333Mbps，能够满足高速数据传输的需求，提升系统整体性能。此外，该芯片采用54-ball FBGA封装，具有较小的封装体积，适合高密度PCB布局设计。
　　H5DU2562GTRFAC 还具备良好的稳定性和可靠性，在工业级温度范围（-40°C至+85°C）内能够稳定工作，适用于严苛的工业环境。该芯片的CAS延迟为2.5ns，响应速度快，有助于提升内存访问效率。此外，其16位数据宽度设计在保持较高带宽的同时也简化了系统设计复杂度，降低了系统成本。
　　在制造工艺方面，H5DU2562GTRFAC 采用了SK Hynix先进的DRAM制造技术，确保了芯片的高集成度和高性能。其FBGA封装形式不仅提升了电气性能，还增强了散热能力，适合长时间高负载运行的应用场景，如服务器和网络设备。

H5DU2562GTRFAC 主要应用于高性能计算系统、服务器、网络路由器和交换机、工业控制系统、高端嵌入式设备以及图形处理单元（GPU）等需要高速大容量内存的场景。该芯片的高性能和低功耗特性使其在数据中心、通信基础设施和工业自动化等领域具有广泛的应用前景。此外，H5DU2562GTRFAC 也可用于消费类电子产品中，如高端游戏主机和智能电视，以提升设备的运行速度和数据处理能力。

H5DU2562GTR-EAC, H5DU2562GTRFBC, MT48LC16M2A2B4-3