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AM27LP010-205DI 发布时间 时间:2025/9/30 6:44:54 查看 阅读:7

AM27LP010-205DI 是由 AMD(现为 ON Semiconductor 的一部分)生产的一款低功耗、高性能的 1Mbit(128K × 8)紫外线可擦除可编程只读存储器(UV-EPROM)。该器件采用先进的浮栅 CMOS 技术,提供高可靠性与耐久性,适用于需要非易失性程序存储的应用场景。其命名中的 '27' 表示属于 EPROM 系列,'LP' 代表低功耗特性,'010' 指代存储容量为 1 Mbit,而 '-205DI' 则表示其封装形式和速度等级,典型访问时间为 200ns。该芯片广泛用于工业控制、通信设备和嵌入式系统中,在系统调试和固件更新阶段具有重要价值。由于其 UV-EPROM 特性,芯片顶部设有石英窗口,允许通过紫外线照射进行批量擦除,从而支持多次编程操作。AM27LP010-205DI 在设计上优化了功耗与性能之间的平衡,适合电池供电或对能耗敏感的应用环境。尽管现代系统越来越多地采用闪存等电可擦除技术,但该型号在某些特定领域仍因其可靠性和稳定性而被使用。

参数

制造商:ON Semiconductor(原 AMD)
  系列:AM27LP
  产品类型:UV EPROM
  存储容量:1 Mbit
  组织结构:128K × 8
  电源电压:4.5V ~ 5.5V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:DIP-32(双列直插式陶瓷封装)
  引脚数:32
  访问时间:200ns
  编程电压:+12.5V ± 0.5V
  待机电流:≤ 100μA(典型值)
  工作电流:≤ 30mA(最大值)
  擦除方式:紫外线擦除(典型曝光时间:20~30分钟,波长253.7nm)
  写入耐久性:可重复编程次数 ≥ 1000 次
  数据保持时间:≥ 10 年(在规定条件下)

特性

AM27LP010-205DI 具备出色的低功耗特性,使其非常适合于便携式设备和远程控制系统中对能耗要求较高的应用场景。其静态电流极低,在待机模式下仅消耗不超过100微安的电流,显著延长了电池使用寿命。同时,该芯片在读取操作期间的工作电流也控制在30mA以内,相较于传统EPROM产品实现了更高的能效比。
  该器件采用CMOS工艺制造,具备良好的抗噪声能力和电气稳定性,能够在宽温度范围内稳定运行(-40°C 至 +85°C),满足工业级应用需求。此外,其快速访问时间为200ns,确保了高效的数据读取性能,适用于实时性要求较高的系统。
  AM27LP010-205DI 支持标准+5V TTL/CMOS电平接口,兼容大多数微处理器和微控制器总线架构,简化了系统集成过程。编程时需施加+12.5V的Vpp电压,支持通过通用编程器进行烧录,并可通过紫外线照射实现全片擦除,便于开发调试和固件迭代。
  该芯片采用陶瓷DIP-32封装,带有透明石英窗口,方便进行紫外线擦除操作。这种封装形式不仅提供了良好的散热性能,还增强了器件的机械强度和长期可靠性。对于需要频繁修改程序代码的开发阶段,此特性尤为关键。
  数据保持能力方面,AM27LP010-205DI 在正常存储条件下可保证信息保存超过10年,即使在高温或潮湿环境中也能维持较长时间的数据完整性。其可重复编程次数不少于1000次,足以应对大多数研发和小批量生产的需求。

应用

AM27LP010-205DI 主要应用于需要可靠非易失性程序存储的嵌入式系统中。它常用于工业自动化控制设备,如PLC(可编程逻辑控制器)、电机驱动器和传感器模块,作为存储固件或启动代码的关键组件。在通信基础设施中,该芯片可用于基站控制板、调制解调器和网络交换设备中,用于存放初始化程序或配置信息。
  在医疗电子设备中,尤其是那些需要长期稳定运行且不频繁升级的仪器,例如监护仪、分析仪等,AM27LP010-205DI 凭借其高可靠性和数据保持能力成为理想选择。此外,航空航天和军事电子系统也常采用此类UV-EPROM器件,因其具备较强的抗辐射和环境适应能力,适合极端条件下的应用。
  教育和科研领域中,该芯片被广泛用于微处理器实验平台、单片机教学系统和电子设计竞赛项目中,学生可以通过实际烧录和擦除操作深入理解存储器工作原理。由于其物理可擦除特性,特别适合反复修改程序的学习场景。
  尽管当前主流趋势已转向电可擦除存储器(如Flash、EEPROM),但在某些不允许意外写入或强调绝对数据安全的场合,UV-EPROM 仍然具有不可替代的优势。AM27LP010-205DI 因其成熟的工艺、稳定的供货历史和广泛的第三方支持工具生态,仍在多个行业中持续服役。

替代型号

AM27C010-200DC
  M27C010-20F6
  MBM27C010-20PFTN

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