K41N6V2 时间：2025/9/6 1:54:23 阅读：14

K41N6V2 是一款由东芝（Toshiba）推出的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）产品，属于功率MOSFET类别。该器件主要用于电源管理和功率转换应用，具有高效率、低导通电阻和快速开关特性。它采用先进的制造工艺，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等场景。K41N6V2在设计上优化了导通损耗和开关损耗的平衡，使其在高频率开关应用中表现出色。该MOSFET为N沟道增强型，支持较高的电流负载能力，同时具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：120A（最大值）
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.3mΩ（典型值，取决于VGS）
　　封装形式：TO-247
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　功率耗散（PD）：180W
　　栅极电荷（Qg）：约50nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：约1900pF

特性

K41N6V2 MOSFET具备多项优良特性，适用于高要求的功率电子系统。其主要特性包括：低导通电阻（RDS(on)），有效降低导通损耗，提高系统效率；高电流承载能力，支持高达120A的漏极电流，适合大功率应用场景；优化的开关性能，减小开关损耗，适用于高频开关电路；增强的热稳定性设计，使其在高温环境下仍能保持良好性能；采用TO-247封装，具有良好的散热能力和机械稳定性，便于安装和使用；具备较高的栅极电压耐受能力（±20V），提高了使用灵活性和安全性；在设计上兼顾了导通损耗和开关损耗的平衡，适用于多种拓扑结构如Buck、Boost、半桥和全桥变换器等；适用于汽车电子、工业电源、太阳能逆变器、电机驱动和电池管理系统等领域。

应用

K41N6V2 MOSFET广泛应用于多个电力电子领域。在DC-DC转换器中，该器件可用于高效率的Buck、Boost和Flyback拓扑结构，提升电源转换效率；在电机控制系统中，K41N6V2可用于H桥或三相桥式驱动电路，实现电机的高效调速与控制；其高电流能力和快速开关特性也使其适用于不间断电源（UPS）和开关电源（SMPS）系统；在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，该MOSFET可作为主功率开关，实现高效的能量转换；此外，它还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路，提高电池使用安全性和寿命；在汽车电子中，K41N6V2可用于车载充电器（OBC）、DC-AC逆变器以及电动助力转向系统等应用。