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AUIRF1404ZS 发布时间 时间:2025/6/30 12:06:27 查看 阅读:7

AUIRF1404ZS 是一款由英飞凌(Infineon)生产的汽车级N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-263-3封装,广泛用于需要高效能开关和低导通电阻的应用场景。AUIRF1404ZS符合AEC-Q101标准,适用于汽车电子环境中的各种功率转换和负载控制应用。
  这款MOSFET具有较低的导通电阻(Rds(on)),能够减少功耗并提高效率。同时,其较高的雪崩击穿能力和出色的热稳定性使其能够在严苛的工作条件下可靠运行。

参数

最大漏源电压:55V
  最大栅极驱动电压:±20V
  连续漏极电流:96A
  导通电阻(Rds(on)):4.0mΩ(在Vgs=10V时)
  总功耗:178W
  工作结温范围:-55℃至175℃
  封装类型:TO-263-3

特性

AUIRF1404ZS 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),确保高效的功率传输和低功耗。
  2. 符合AEC-Q101标准,适合汽车级应用。
  3. 高雪崩击穿能力,增强了器件的耐用性和可靠性。
  4. 支持高电流操作,适应多种大功率应用场景。
  5. 良好的热稳定性和散热性能,保证了在高温环境下的正常运行。
  6. 小型化封装设计,便于安装和集成到紧凑型系统中。

应用

AUIRF1404ZS 广泛应用于汽车电子领域,包括但不限于以下场景:
  1. 汽车直流电机驱动。
  2. 车载充电器和逆变器。
  3. 功率转换电路,如DC-DC转换器。
  4. 照明系统,例如LED驱动和卤素灯控制。
  5. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  6. 各类负载控制和保护电路,如继电器替代方案。
  由于其卓越的性能和可靠性,AUIRF1404ZS 成为许多汽车电子系统的理想选择。

替代型号

IRF1404,
  AUIRF1404,
  STP100NF06L

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AUIRF1404ZS参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C160A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.7 毫欧 @ 75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs150nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4340pF @ 25V
  • 功率 - 最大200W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件