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PSMN7R0-100PS,127 发布时间 时间:2025/9/14 20:23:27 查看 阅读:3

PSMN7R0-100PS,127是一款由Nexperia(安世半导体)生产的功率MOSFET,属于高性能的Trench MOSFET系列。该器件设计用于高效率、高密度的电源转换应用,例如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等。该MOSFET采用增强型N沟道结构,具备低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性。其封装形式为TSOP(小型轮廓封装),适合在空间受限的电路中使用,并提供良好的散热性能。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(VDS):100V
  连续漏极电流(ID):70A(在VGS=10V时)
  导通电阻(RDS(on)):7mΩ(最大值,典型值可能更低)
  栅极电压(VGS):±20V
  功耗(Ptot):100W
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

PSMN7R0-100PS,127具备多项优异的电气和热性能特性。其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,从而提高了电源转换效率,尤其适用于高电流负载的应用场景。该器件采用先进的Trench MOSFET技术,使得在有限的芯片面积上实现更高的电流密度,同时保持较低的开关损耗。
  此外,该MOSFET具有高耐压能力,漏源电压(VDS)达到100V,适用于多种中高压电源应用。栅极结构设计优化了开关速度,并提高了抗干扰能力,确保在高频开关条件下稳定工作。
  该器件采用TSOP封装,具备良好的散热性能和空间利用率,适用于紧凑型电路设计。其宽广的工作温度范围(-55°C至175°C)确保在各种环境条件下都能可靠运行。PSMN7R0-100PS,127还具备出色的雪崩能量耐受能力,使其在负载突变或短路情况下仍能保持稳定,增强了系统的鲁棒性。
  此外,该MOSFET具有较高的抗热阻能力,减少了热失控的风险。其封装材料符合RoHS环保标准,支持绿色电子设计。

应用

PSMN7R0-100PS,127广泛应用于多种电力电子系统中,如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电机驱动、电源管理模块以及工业自动化设备。由于其高效率和紧凑的封装形式,它也适用于便携式电子设备中的电源管理单元,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机。此外,该器件在汽车电子系统中也有广泛应用,包括车载充电器、电动助力转向系统和电池管理系统等,满足汽车工业对高可靠性和高效率的严格要求。

替代型号

IPB075N10N3 G INFINEON
  FDMS7650
  FDBL8860

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PSMN7R0-100PS,127参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.8 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs125nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds6686pF @ 50V
  • 功率 - 最大269W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称568-4971-5