ACT-SF128K16N-026P7Q 是一款由 Adesto Technologies 提供的非易失性存储器芯片,属于 CBRAM(Conductive Bridging RAM)系列。该芯片采用先进的铜离子导电桥接技术,具备超低功耗和快速写入性能,非常适合电池供电设备以及需要频繁数据记录的应用场景。
该器件提供了 16Mbit 的存储容量,组织形式为 128K x 16 位结构,采用标准 SPI 接口进行通信,支持高达 50MHz 的工作频率。其独特的存储技术确保了数据的长期保存能力,并且在读写操作中几乎无延迟。
存储容量:16Mbit
存储结构:128K x 16
接口类型:SPI
工作电压:1.7V 至 3.6V
工作频率:最高 50MHz
封装形式:WLCSP (7x7mm)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
擦写次数:高达 10^6 次
数据保持时间:超过 10 年
1. 极低功耗:待机电流小于 1uA,活动模式下的功耗也远低于传统闪存技术。
2. 快速写入:CBRAM 技术使得写入速度比普通 EEPROM 或闪存快得多。
3. 高可靠性:即使在高频率使用环境下,也能保证数据的完整性和一致性。
4. 小型封装:WLCSP 封装使其适用于空间受限的设计。
5. 宽工作电压范围:兼容多种电源环境,适合各种便携式或嵌入式应用。
6. 耐用性强:支持高达 10^6 次的擦写周期,满足工业级需求。
ACT-SF128K16N-026P7Q 主要应用于需要高性能、低功耗存储解决方案的领域,例如物联网设备、可穿戴电子设备、工业控制模块、医疗监测仪器、智能家居产品以及其他便携式电子产品。
此外,由于其出色的可靠性和耐用性,它还被广泛用于需要频繁数据记录和长时间运行的系统,如数据记录仪、黑匣子和边缘计算节点等。
AT28C256, MX25L1606E