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BC847BDW1T1G 发布时间 时间:2025/5/10 10:06:22 查看 阅读:9

BC847BDW1T1G 是一款 NPN 型硅晶体管,广泛应用于各种电子电路中。该晶体管具有高增益和低噪声的特点,适用于信号放大、开关控制等场景。其封装形式为 SOT-23 小型表面贴装器件(SMD),适合高密度电路板设计。由于其出色的电气性能和可靠性,BC847BDW1T1G 在消费电子、工业设备和通信领域中都有广泛应用。
  BC847 系列晶体管通常被设计用于低功率应用,能够提供稳定的电流放大功能,同时保持较低的功耗。

参数

集电极-发射极电压(VCEO):45V
  集电极-基极电压(VCBO):50V
  发射极-基极电压(VEBO):6V
  最大集电极电流(IC):200mA
  最大集电极功耗(Ptot):350mW
  直流电流增益(hFE):100~420
  过渡频率(ft):300MHz
  存储温度范围:-55℃~150℃
  工作结温范围:-55℃~150℃

特性

1. 高增益性能,确保在低输入信号条件下实现有效放大。
  2. 支持表面贴装技术(SMD),简化了自动化生产和组装过程。
  3. 优异的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
  4. 封装尺寸紧凑,节省 PCB 空间,非常适合小型化设计需求。
  5. 可靠性高,适合长时间连续工作环境。
  6. 广泛的电压和电流处理能力,适应多种应用场景。

应用

1. 消费类电子产品中的音频信号放大器。
  2. 开关电源中的驱动电路和保护电路。
  3. 工业控制系统中的信号调理模块。
  4. 各种继电器驱动和电机控制电路。
  5. 数据通信设备中的低噪声放大器。
  6. 测试测量仪器中的精密信号放大组件。

替代型号

BC847B, BC847C, 2N3904

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BC847BDW1T1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列-
  • 晶体管类型2 NPN(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)600mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)200 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大380mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装SOT-363
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BC847BDW1T1GOSTR