RF18N0R1B500CT 是一款高性能的射频 (RF) 功率晶体管,主要用于无线通信和射频功率放大应用。该器件采用了先进的硅双极型晶体管技术,能够提供高增益、低失真和出色的线性度,适用于多种射频应用场景。
该晶体管设计用于频率范围从几十兆赫到超过 1 GHz 的应用,并具有优异的耐热性能和可靠性,非常适合于基站、无线电设备以及其他高频电子系统中。
集电极-发射极电压(Vce):65 V
直流电流增益(hFE):4
最大集电极电流(Ic):20 A
额定输出功率:300 W
工作频率范围:30 MHz 至 1 GHz
插入损耗:小于 2 dB
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
结温:高达 +175°C
RF18N0R1B500CT 拥有卓越的电气性能和热管理能力。其关键特性包括:
1. 高功率处理能力,能够在宽广的频率范围内提供稳定的输出。
2. 采用坚固耐用的封装设计,确保在恶劣环境下的长期可靠性。
3. 具备较低的热阻,从而提高了散热效率并延长了使用寿命。
4. 良好的线性度表现,适合需要低失真的应用场合。
5. 内置保护功能,如过压和过流保护,增强了系统的安全性和稳定性。
6. 符合 RoHS 标准,环保且无铅,满足全球市场的法规要求。
该晶体管广泛应用于各种射频功率放大器设计中,典型应用领域包括:
1. 无线通信基础设施,例如 GSM、CDMA 和 LTE 基站中的功率放大器模块。
2. 广播系统,如 FM 和 TV 发射机。
3. 工业、科学和医疗(ISM)频段设备,如微波加热器和等离子体发生器。
4. 测试与测量仪器,如信号发生器和频谱分析仪。
5. 军事和航空航天领域的雷达和通信设备。
RF18N0R1B500FT, RF18N0R1B500GT