A42-7M是一种常用于功率转换和电机控制的高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它属于垂直双扩散结构的MOSFET器件,能够在高频开关应用中提供高效的性能。A42-7M具有较低的导通电阻和较高的击穿电压,使其适用于电源适配器、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。
A42-7M采用TO-220封装形式,这种封装不仅提供了良好的散热性能,还方便与外部电路集成。其设计使得在高电流和高压条件下仍能保持稳定工作。
类型:N沟道
最大漏源极电压:700V
最大栅源极电压:±20V
最大连续漏极电流:6.8A
导通电阻:1.5Ω(典型值)
总功耗:130W
结温范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-220
A42-7M的关键特性包括以下几点:
1. 高耐压能力:能够承受高达700V的漏源极电压,适合高压应用环境。
2. 较低的导通电阻:典型值为1.5Ω,在同类产品中表现优异,可有效减少传导损耗。
3. 快速开关速度:得益于优化的内部结构设计,A42-7M具备较短的开关时间,降低了开关损耗。
4. 强大的散热能力:TO-220封装为器件提供了良好的散热路径,有助于提升整体效率并延长使用寿命。
5. 稳定性:即使在极端温度范围内,该器件也能保持稳定的电气性能。
A42-7M广泛应用于多种领域:
1. 开关电源(SMPS):作为主开关管或同步整流管使用。
2. DC-DC转换器:用于降压或升压拓扑中的功率开关。
3. 电机驱动:特别是在中小功率电机驱动系统中作为驱动元件。
4. 能量管理系统:如太阳能逆变器和其他能量转换设备。
5. 充电器电路:例如电动车充电器、笔记本电脑充电器等。
由于其出色的高压性能,A42-7M非常适合需要高可靠性和高效能的应用场景。
A42-7T, IRF840, STP70NF7