时间：2025/9/5 0:10:54
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GT17V-10DS-R是一款由Giantec Semiconductor制造的N沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高开关性能，适用于各种高效能电源转换器。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：100V
漏极电流(Id)：17A
导通电阻(Rds(on))：100mΩ
栅极电荷(Qg)：23nC
封装类型：TO-252
工作温度范围：-55°C至175°C
GT17V-10DS-R具有低导通电阻，可减少导通损耗并提高系统效率。其高电流能力使其适用于高功率密度设计。该器件还具有快速开关特性，可降低开关损耗，并提高整体性能。此外，GT17V-10DS-R具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。TO-252封装提供了良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，简化了PCB布局和制造流程。
GT17V-10DS-R主要用于各种电源管理应用，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和马达控制器。它也适用于工业电源、通信设备和消费类电子产品中的高效率功率转换电路。此外，该器件可作为高性能电源模块和电池管理系统中的关键组件。
Si7461DP,TMOSFET-T17N10K,T17N10K
