时间：2025/8/14 2:26:07
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SB840 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种功率管理与转换应用。该器件采用先进的技术，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性，适合在高效率、高密度电源系统中使用。SB840 通常封装在 TO-220 或 D2PAK 等标准封装中，便于散热和安装。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 (Vds)：500V
最大漏极电流 (Id)：8A
导通电阻 (Rds(on))：典型值 0.95Ω（最大值 1.2Ω）
栅极阈值电压 (Vgs(th))：2V 至 4V
最大功耗 (Ptot)：50W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220、D2PAK
SB840 的主要特性包括其高耐压能力和较高的电流处理能力，适用于多种功率控制场景。其低导通电阻特性有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。
SB840 的高开关速度使其适用于高频开关电路，从而减小外围元件的尺寸和系统整体体积。这种特性对于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、马达控制和负载开关等应用尤为重要。
该 MOSFET 具有较高的雪崩能量承受能力，可在瞬态过压条件下提供一定的保护功能，增强了系统的可靠性和耐用性。同时，其简单的栅极驱动特性也降低了控制电路的设计复杂度。
SB840 被广泛应用于各种功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、AC-DC 适配器、DC-DC 转换器、照明控制系统（如 LED 驱动器）、马达驱动器和工业自动化设备中的负载开关等。此外，它也可用于电池管理系统、UPS（不间断电源）以及家用电器中的电源控制部分。
STP8NK50Z、IRF840、FQP8N50、APT8080LV
