时间：2025/6/10 12:27:20
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SI9953ADY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术制造，具有低导通电阻和出色的开关性能，非常适合用于高效率电源转换、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等应用。其封装形式为表面贴装的 TinySOT23-6L，有助于节省 PCB 空间。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.4A
导通电阻（Rds(on)）：8mΩ
栅极电荷：11nC
总电容（Ciss）：172pF
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TinySOT23-6L
SI9953ADY-T1-GE3 的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外，其栅极电荷较低，从而提高了开关速度并减少了开关损耗。器件的超小型封装使其非常适合空间受限的应用场景，同时保持了卓越的热性能和电气性能。
该 MOSFET 具有快速的开关速度和低寄生电感，可有效降低电磁干扰 (EMI) 并提高整体系统稳定性。它还支持高频操作，适用于同步整流、电池保护、多相控制器等领域。
这款 MOSFET 可广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。具体应用包括但不限于：
- 笔记本电脑和平板电脑中的 DC-DC 转换器
- 移动设备的负载开关
- 便携式设备的电池管理
- LED 驱动电路
- 同步整流设计
- 小型化电源适配器和充电器
