A1010B2PQG100C是一款高性能的射频功率晶体管,专为无线通信、广播发射机以及其他射频应用而设计。该晶体管采用先进的硅双极工艺制造,具有高增益、高效率和出色的线性度性能。
其封装形式为气密封装,能够有效提高可靠性并适应苛刻的工作环境。此外,该器件支持宽带操作,并能承受较高的反向电压,使其在多种射频功率放大器设计中表现优异。
型号:A1010B2PQG100C
工作频率范围:30 MHz 至 300 MHz
饱和功率(Psat):150 W
增益:14 dB
效率:65%
最大集电极-发射极电压(Vceo):150 V
最大集电极电流(Ic):8 A
插入损耗:≤ 2.5 dB
存储温度范围:-55℃ 至 +125℃
工作温度范围:-40℃ 至 +100℃
1. 高输出功率能力,在指定频率范围内可提供稳定的150W输出。
2. 优秀的增益和效率指标,确保系统性能的同时降低能耗。
3. 宽带匹配设计简化了电路设计难度,并提高了应用灵活性。
4. 良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内可靠运行。
5. 封装坚固耐用,具备较强的抗环境干扰能力,适用于户外及工业场景。
6. 反向电压保护功能提升了整体系统的安全性。
1. 广播电台发射机:
由于其高功率输出和稳定性能,A1010B2PQG100C广泛应用于AM/FM广播发射机。
2. 无线通信基站:
在移动通信基础设施中,这款晶体管可用作功率放大器的核心组件,提升信号覆盖范围。
3. 测试与测量设备:
它被集成到信号源和功率计等测试仪器中,以生成精确且高强度的射频信号。
4. 军事和航空航天:
凭借其高可靠性和坚固设计,也常用于雷达和其他关键任务系统中。
A1010B2PG100C, BLF987, MRF218