时间：2025/8/2 6:01:24
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PMPB23XNE 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于高效率的电源管理和功率转换应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制和电池管理系统等。PMPB23XNE 采用先进的技术制造，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能，适合在高要求的工业和汽车应用中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：30 V
栅源电压（VGS）：20 V
漏极电流（ID）：160 A（在 Tc=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：3.5 mΩ（最大值，典型值可能更低）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
功率耗散（PD）：130 W
PMPB23XNE MOSFET 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体效率。该器件的高耐压能力使其能够在高压环境下稳定工作，而不会发生击穿或损坏。此外，PMPB23XNE 采用了先进的封装技术，具备优异的热管理性能，可以快速将热量散发到周围环境中，从而提高系统的可靠性和寿命。
该 MOSFET 还具有较高的栅极阈值电压稳定性，能够在各种工作条件下保持良好的控制性能。同时，其宽工作温度范围使得 PMPB23XNE 适用于极端环境下的应用，例如汽车电子和工业自动化系统。此外，PowerFLAT 封装设计不仅提高了热性能，还节省了 PCB 空间，使其适合高密度电路设计。
从电气特性来看，PMPB23XNE 具有较低的输入电容和输出电容，这有助于减少开关损耗并提高高频工作的稳定性。此外，其短路耐受能力和过热保护功能使其在实际应用中更加安全可靠。
PMPB23XNE 广泛应用于多种高功率和高效率需求的电子系统中。在汽车电子领域，它可用于车载充电系统、电池管理系统（BMS）以及电动助力转向系统（EPS）等关键部件。在工业自动化和电机控制领域，PMPB23XNE 常用于驱动大功率电机和执行器，提供高效的能量转换和稳定的性能。
此外，PMPB23XNE 还适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器等电源管理应用。其低导通电阻和高耐压能力使其成为高效电源转换的理想选择。在新能源领域，例如太阳能逆变器和储能系统中，PMPB23XNE 也能够提供可靠的功率控制和能量管理解决方案。
由于其优异的热性能和紧凑的封装设计，PMPB23XNE 还可用于高密度电路板设计，例如服务器电源、通信设备和消费类电子产品中的高效电源模块。
IPB036N10N3 G, SQJQ160EP, FDP160N20F
