容量：1 Mbit（128 KB）
　　组织结构：131,072 字节 x 8 位
　　电源电压：5.0V ± 10%
　　读取访问时间：90 ns / 120 ns / 150 ns 可选
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　封装类型：32引脚DIP、32引脚PLCC、44引脚TSOP
　　擦除方式：扇区擦除（每扇区 4 KB）或整片擦除
　　编程电压：内部电荷泵生成所需高压
　　写使能：通过命令寄存器控制
　　待机电流：典型值为 200 μA
　　编程/擦除耐久性：100,000 次循环
　　数据保持时间：典型值 20 年

AM29F010B 具备先进的扇区保护架构，允许用户对存储阵列中的任意扇区进行独立擦除和编程操作。该芯片共分为32个扇区，每个扇区大小为4 KB，其中最后一个扇区位于地址空间的起始位置（通常用于存放引导代码），便于实现自举加载功能。这种灵活的扇区划分使得固件更新更加高效，避免了全片擦除带来的不便。芯片内部集成电荷泵电路，可在标准5V电源下完成编程和擦除所需的高压生成，无需外部提供额外的编程电压，从而简化了系统电源设计。
　　为了提高数据可靠性，AM29F010B 提供了多种硬件和软件数据保护机制。例如，通过 Vpp 引脚的电压检测可以防止意外写入；同时支持 JEDEC 标准命令集中的锁定机制，确保在上电/掉电过程中不会发生误操作。此外，该器件还具备自动擦除和自动编程功能，减少了CPU干预的需求，提升了操作效率。在读取模式下，其访问时间最快可达90纳秒，满足大多数中低端微控制器系统的性能要求。
　　AM29F010B 支持 TTL 电平兼容输入，可以直接与通用微处理器或微控制器连接，无需额外的电平转换电路。其低功耗特性体现在多种工作模式中：正常读取模式下电流约为30mA，而待机模式下仅消耗约200μA，适合对功耗敏感的应用场景。当处于读取状态时，如果长时间未进行操作，芯片可自动进入低功耗待机模式以节省能源。另外，该器件具有高抗干扰能力和良好的ESD防护性能，能够在恶劣工业环境中稳定运行。
　　该闪存芯片还支持字节写入（Byte Program）和缓冲编程（Buffered Program）两种编程方式，其中缓冲编程可提升连续数据写入的速度。错误管理方面，内置的内建自测试（CDB - Completion Detection Bits）功能可通过查询状态寄存器判断当前操作是否完成或是否存在错误，例如编程失败或超时等异常情况。这些特性共同构成了一个可靠、易用且耐用的非易失性存储解决方案，尤其适合用于固件存储、配置参数保存和小型数据日志记录等任务。

AM29F010B 被广泛应用于各种需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。在工业控制系统中，它常用于存储PLC的固件程序和配置参数，确保设备在断电后仍能保留关键信息，并在重新上电后迅速恢复运行。通信设备如路由器、交换机和调制解调器也采用此类闪存来保存启动代码（Bootloader）和网络配置数据，保障系统能够独立完成初始化过程。在消费类电子产品领域，包括老式游戏机、DVD播放器和机顶盒等设备，AM29F010B 因其稳定的读取性能和较长的数据保持能力而被广泛选用。
　　汽车电子系统是另一个重要应用方向。该芯片可用于存储车载仪表盘、ECU（电子控制单元）或车载娱乐系统的固件，满足汽车级温度范围的要求。由于其具备较强的抗振动和电磁干扰能力，适合在复杂的车辆环境中长期运行。此外，在医疗仪器和测试测量设备中，AM29F010B 常用于保存校准数据、设备序列号和操作日志，确保设备精度和可追溯性。
　　在军事和航空航天领域，虽然对器件等级要求更高，但在某些非关键子系统或地面支持设备中，AM29F010B 也曾作为可靠的存储方案使用。由于其命令集标准化程度高，开发者可以方便地编写驱动程序并实现跨平台移植。即使在现代系统逐渐转向更高密度的SPI NOR Flash或串行闪存的背景下，AM29F010B 仍然在维修、替代和逆向工程项目中发挥着作用，尤其是在无法更改原有PCB设计的老化设备升级中。

SST39SF010A
　　MBM29F010B
　　EON EN29F010A
　　PMC Pm29F010B