时间：2025/6/29 15:44:56
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SDP137HVUMD 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压和高效率应用设计。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)）以及优异的热性能，适用于诸如电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：100V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：6.5A @ Tc=25°C
功耗(Pd)：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：UDFN
导通电阻(Rds(on))：最大值为 0.47Ω @ Vgs = 10V
SDP137HVUMD 的关键特性之一是其优化的沟槽技术，使器件具备更低的 Rds(on)，从而减少传导损耗并提高能效。此外，它具有快速开关能力，支持高频操作，有助于减小外部滤波元件尺寸。
这款 MOSFET 还内置了出色的热稳定性，能够在恶劣环境条件下保持稳定运行，并延长系统寿命。由于其小型化的 UDFN 封装，SDP137HVUMD 在空间受限的应用中非常实用，同时提供了良好的散热性能。
SDP137HVUMD 还具备卓越的雪崩能量耐受能力，使其在面对瞬态高压时依然能够维持可靠的性能。这一特性对于保护电路免受损坏至关重要，特别是在涉及电感性负载切换的应用中。
SDP137HVUMD 常用于多种电力电子系统中，例如同步整流器、电池管理系统、负载开关、直流马达驱动器、LED 照明控制器以及各种工业自动化设备中的功率调节模块。它也适合用于汽车电子系统中的 DC-DC 转换器和车载充电装置。
此外，该 MOSFET 可作为高侧或低侧开关使用，在高性能电源供应器和便携式电子产品中发挥重要作用。
Si9410BDY-T1-E3, FDS6680, BSC060N03MS
